[发明专利]一种用于改善PERC电池铝空洞的烧结方法

权利要求书

1.一种用于改善PERC电池铝空洞的烧结方法，其特征在于，所述烧结方法包括以下步骤：将已经印刷好浆料的硅片送料到烧结设备中进行烧结，设定硅片正面的烧结温度低于硅片背面设定的烧结温度；

所述烧结设备中包括低温烘干区和高温烧结区，所述低温烘干区和高温烧结区均包括多个设定温度相同或不同的控温区；所述低温烘干区中的控温区沿着硅片的送料方向的设定温度逐渐上升；

所述高温烧结区包括对应于硅片正面的上控温区和对应于硅片背面的下控温区，所述下控温区的设定温度比所述上控温区的设定温度高15-40℃；所述下控温区的设定温度比所述上控温区的设定温度高15-20℃；

所述上控温区和下控温区均包括相互对应的六个控温区，每个下控温区中的控温区均比对应上控温区中的控温区的设定温度高15-40℃；所述高温烧结区中多个控温区中的前段控温区相同，中段控温区的温度逐渐上升，后段控温区的温度降低；

所述低温烘干区的温度为300-450℃，所述高温烧结区的温度为500-960℃；

所述低温烘干区对应于所述硅片正面和硅片背面的设定温度相同；

所述低温烘干区包括四个控温区；

所述已经印刷好浆料的硅片通过以下步骤进行制备：按电池工艺将原始硅片从一次清洗制绒到背面镀钝化和减反膜及正面减反膜，然后通过激光设备进行背面开槽，开槽后的硅片在丝网印刷设备中进行背银背铝正银浆料印刷，得到已经印刷好浆料的硅片。