[发明专利]一种MOCVD托盘的处理方法在审
| 申请号： | 201910217966.3 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111719139A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李强;邓桃;刘飞;王朝旺;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 托盘 处理 方法 | ||
1.一种MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)、在托盘上预装废弃陪片；
(2)、将新托盘置于MOCVD设备中，对托盘进行高温处理，去除托盘中包含的水氧；
(3)、在托盘上覆盖一层AlAs材料；
(4)、在AlAs材料上覆盖一层AlGaAs材料；
(5)、覆盖材料后，在托盘上形成一层新的界面，托盘可正常使用；
(6)、当托盘达到更换条件后，将托盘置于空气中，对生长的材料从基层开始氧化24h；
(7)、将托盘置于bake炉中，在高温条件下对托盘进行烘烤，同时利用标准气体对托盘进行吹扫，所述标准气体为氢气和氮气的混合气；
(8)、托盘处理后，清理掉托盘表面在高温处理过程中残余的材料，然后用高压氮气对托盘表面进行吹扫；
(9)、处理完成后，将托盘置于N2环境中保存，下次待用。
2.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(2)中，对托盘进行高温处理的温度为700℃-800℃。
3.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(3)中，以650±50℃的温度在托盘上覆盖AlAs材料。
4.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所覆盖的AlAs材料的厚度为1000-2000埃。
5.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(4)中，所覆盖的AlGaAs材料的厚度为2-4um。
6.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(7)中，托盘置于bake炉后达到的高温条件为1200-1300℃。
7.根据权利要求1所述的MOCVD托盘的处理方法，其特征在于，步骤(7)中，所述标准气体为7％的氢气和93％的氮气的混合气。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
