[发明专利]基板加热装置和使用了该基板加热装置的基板处理装置有效
| 申请号： | 201910217529.1 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110299308B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 及川谕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 装置 使用 处理 | ||
1.一种基板加热装置，其中，
该基板加热装置具有：
基板支承构件，其能够将基板支承为大致水平；
加热部件，其设置于所述基板支承构件的下方，与所述基板大致平行地设置，并且具有规定的平面形状；
侧面部，其从所述加热部件的外周部向下方延伸；以及
多个支柱，其沿着周向以规定间隔竖立设置于比所述侧面部靠内侧的位置，从所述加热部件的下方支承所述加热部件，
所述多个支柱设置在用于使基板处理容器的下部开口开闭的盖体的上表面上，在所述侧面部的下端与所述盖体之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的基板加热装置，其中，
所述加热部件的所述规定的平面形状是圆形，
所述侧面部是在整周上具有相同的长度的圆筒形状。
3.根据权利要求1或2所述的基板加热装置，其中，
所述侧面部由不透明石英或碳化硅形成。
4.根据权利要求1或2所述的基板加热装置，其中，
所述侧面部具有加热机构。
5.根据权利要求4所述的基板加热装置，其中，
所述加热部件和所述侧面部的所述加热机构能够独立地进行温度控制。
6.根据权利要求1或2所述的基板加热装置，其中，
在由所述加热部件和所述侧面部围成的空间内设置有由不透明石英或碳化硅形成的保温部件。
7.根据权利要求6所述的基板加热装置，其中，
所述保温部件由具有多张板状或散热片状的形状的构件形成。
8.根据权利要求1或2所述的基板加热装置，其中，
所述基板支承构件具有能够将多张基板排列支承为水平状态且沿着铅垂方向具有预定间隔的构造。
9.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
根据权利要求1～8中任一项所述的基板加热装置；
反应管，其覆盖所述基板支承构件、所述加热部件以及所述侧面部；以及
第2加热部件，其设置于所述反应管的周围，用于对所述反应管进行加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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