[发明专利]一种磁光晶体及其制备方法和用途在审
| 申请号: | 201910217188.8 | 申请日: | 2019-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN111719183A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 林哲帅;尤丰光;涂衡;胡章贵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B15/00;C30B28/10 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种磁光晶体,其特征在于,所述磁光晶体的化学式为Li3Ln3M2O12,其中Ln为Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al或Ga中的任意一种或至少两种的组合,M为Te,W或Mo中的任意一种或至少两种的组合。
2.根据权利要求1所述的磁光晶体,其特征在于,所述磁光晶体的化学式为Li3Tb3Te2O12。
3.一种权利要求1或2所述的磁光晶体的制备方法,其特征在于,所述磁光晶体采用助熔剂法制备得到。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)按照Li3Ln3M2O12中的化学计量比将锂源、Ln源以及M源混合,烧结得到磁光晶体原料;
(2)将步骤(1)得到的磁光晶体原料与助熔剂混合,得到混合料;
(3)将步骤(2)得到的混合料加热至熔融,于熔体饱和点下籽晶,降温生长晶体,将生长完成的晶体提离液面得到所述磁光晶体。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述烧结的温度为700~1200℃;
优选地,所述烧结的时间为18~35h;
优选地,步骤(1)所述锂源为Li2CO3和/或LiF;
优选地,步骤(1)所述Ln源为Ln的氧化物;
优选地,步骤(1)所述M源为M的氧化物。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的助熔剂为LiF、TeO2和B2O3的组合物,Li2CO3、TeO2和B2O3的组合物,Li2CO3、TeO2和H3BO3的组合物或LiF、TeO2和H3BO3的组合物;
优选地,所述磁光晶体原料与LiF,TeO2和B2O3的摩尔比为1:10~20:4~8:2~8;
优选地,所述磁光晶体原料与Li2CO3,TeO2和B2O3的摩尔比为1:5~10:4~8:2~8;
优选地,所述磁光晶体原料与Li2CO3,TeO2和H3BO3的摩尔比为1:5~10:4~8:4~16;
优选地,所述磁光晶体原料与LiF,TeO2和H3BO3的摩尔比为1:10~20:4~8:4~16。
7.根据权利要求4-6任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述加入籽晶前对加热至熔融的混合料进行搅拌;
优选地,所述搅拌的时间为18~48h。
8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述降温生长晶体过程中旋转籽晶杆;
优选地,所述籽晶杆的旋转速率为10~30rpm;
优选地,步骤(3)所述降温生长晶体的降温速率为0.1~5℃/天。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学,未经中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910217188.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种家居安防报警系统安装用工作架
- 下一篇:成像镜头





