[发明专利]一种钽掺杂二氧化铪铁电材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910211530.3 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109979811B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;袁秀芳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/51;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 铪铁电 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽掺杂二氧化铪铁电材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：采用脉冲激光沉积PLD对Ta2O5靶、HfO2靶交替打靶的方式在Pt/Si基底上沉积10～25nm厚Ta掺杂的HfO2非晶薄膜，通过控制对两个靶的打靶次数的比例来控制Ta掺杂含量，获得掺杂含量为15～25mol％的Ta：HfO2薄膜，Ta为+5价施主元素掺杂HfO2薄膜；
步骤2：在步骤1制备的Ta：HfO2薄膜上制备70～90nm厚的Pt顶电极；
步骤3:采用快速退火RTA技术，将步骤2所得的样品进行快速退火使其结晶。
2.如权利要求1所述钽掺杂二氧化铪铁电材料的制备方法，其特征在于：所述快速退火采用99.999％氮气，气压保持在2Torr，升温至600～800℃，保温1分钟，自然冷却至室温的退火条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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