[发明专利]一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法

权利要求书

1.一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，是将镂空图案化掩膜板覆于氮化硅衬底上，通过物理气相沉积法先使用200~300W直流电源溅射钛靶，在氮化硅衬底上沉积钛膜，再使用180~220W的直流电源溅射铂靶，在钛膜上沉积铂膜，得到图案化铂钛多层薄膜的电热元器件。

2.如权利要求1所述一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，其特征在于：所述镂空图案化掩膜板是厚度为0.1~0.3mm的不锈钢，其上刻蚀出镂空电阻电路图案。

3.如权利要求1所述一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，其特征在于：钛靶、铂靶的纯度均为99.99%。

4.如权利要求1所述一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，其特征在于：物理气相沉积钛膜的过程中，氩气流量为19~21sccm，氩等离子体工作气压为6.5~8.5×10^-1Pa，沉积温度为120~160℃，钛靶功率为200~300W，沉积时间为2~4min；钛膜的厚度为100~200nm。

5.如权利要求1所述一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，其特征在于：物理气相沉积铂膜的过程中，氩气流量为38~42sccm，氩等离子体工作气压为4.5~5.5×10^-1Pa，沉积温度为120~160℃，铂靶功率为180~220W，沉积时间为20~37min；铂膜的厚度为500~900nm。

6.如权利要求1所述一种图案化电阻薄膜电热元器件的制备方法，其特征在于：所述氮化硅衬底在沉积钛和铂薄膜前，先用氩等离子体刻蚀氮化硅衬底5~10分钟，使用偏压-500~ -600V去除衬底表面自然氧化层。