[发明专利]集成电路(IC)器件在审
| 申请号: | 201910206911.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN110858590A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
| 发明(设计)人: | 金炫助;全众源 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 ic 器件 | ||
1.一种集成电路器件,包括:
逻辑单元,具有由单元边界限定的区域,
所述逻辑单元包括第一器件区域、器件隔离区域和第二器件区域,
所述第一器件区域和所述第二器件区域布置为在第一方向上彼此间隔开,所述第一方向垂直于第二方向,
所述器件隔离区域在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间,
所述第一器件区域在所述第二方向上的第一最大长度小于所述单元边界在所述第二方向上的宽度,并且
所述第二器件区域在所述第二方向上的第二最大长度等于所述单元边界在所述第二方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述逻辑单元还包括在所述第二方向上以第一节距布置的多个栅极结构,
所述多个栅极结构中的每个在至少所述第一器件区域之上在所述单元边界内在所述第一方向上延伸,并且
所述第二最大长度和所述第一最大长度之间的差异等于所述第一节距。
3.如权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述单元边界包括一对竖直边界线,
所述一对竖直边界线的每个在所述逻辑单元的高度方向上延伸并彼此平行,并且
所述一对竖直边界线限定所述逻辑单元的宽度,
所述第一器件区域与所述一对竖直边界线中的一个竖直边界线间隔开,并且
所述第二器件区域的在所述第二方向上彼此相反的一对侧面分别与所述一对竖直边界线相接。
4.如权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述逻辑单元包括一个或更多个第一鳍型有源区域和第一鳍分隔绝缘部分,
所述一个或更多个第一鳍型有源区域位于所述第一器件区域上并在所述第二方向上延伸,
所述第一鳍分隔绝缘部分在所述一个或更多个第一鳍型有源区域和所述单元边界之间,
所述第一鳍分隔绝缘部分面对所述第二器件区域,所述器件隔离区域在所述第一鳍分隔绝缘部分和所述第二器件区域之间,
所述一个或更多个第一鳍型有源区域与所述单元边界间隔开第一距离,并且
所述第一鳍分隔绝缘部分在所述一个或更多个第一鳍型有源区域和所述单元边界之间。
5.如权利要求4所述的集成电路器件,其中
所述逻辑单元还包括一个或更多个第二鳍型有源区域和第二鳍分隔绝缘部分,
所述一个或更多个第二鳍型有源区域在所述第二器件区域上并在所述第二方向上延伸,
所述第二鳍分隔绝缘部分包括面对所述一个或更多个第二鳍型有源区域的端部的侧壁,
所述第二鳍分隔绝缘部分在所述第一方向上沿着所述单元边界在与所述单元边界重叠的位置延伸,
在所述第二方向上,所述一个或更多个第二鳍型有源区域与所述单元边界间隔开第二距离,
所述第二鳍分隔绝缘部分在所述一个或更多个第二鳍型有源区域和所述单元边界之间,并且
所述第二距离小于所述第一距离。
6.如权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述逻辑单元包括第一鳍分隔绝缘部分和第二鳍分隔绝缘部分,
所述第一鳍分隔绝缘部分在所述单元边界的竖直边界线和所述第一器件区域之间,
所述第一鳍分隔绝缘部分具有在所述第二方向上的第一宽度,所述竖直边界线在所述第一方向上延伸,所述第二鳍分隔绝缘部分在所述第二器件区域中沿着所述竖直边界线延伸,
所述第二鳍分隔绝缘部分具有在所述第二方向上的第二宽度,并且
所述第二宽度小于所述第一宽度。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





