[发明专利]一种含锆聚碳硅烷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S101：首先在保护气体氛围下将异丙醇锆加热至40℃～60℃，然后滴加四氢呋喃并搅拌；其中，所述异丙醇锆与所述四氢呋喃的体积比为1：(1～3)；

S102：向所述步骤S101得到的产物中加入炔基聚硅烷并搅拌使其溶解，然后加热至90℃～100℃并保温4h～6h；其中，所述炔基聚硅烷与所述异丙醇锆的体积比为(3～5)：10；

S103：向所述步骤S102得到的产物中加入二甲苯，所述二甲苯与所述步骤S102得到的产物的体积比为(0.5～2)：1，再加入硅粉和二茂铁并搅拌1h～2h；其中，每100mL炔基聚硅烷中加入5g～10g硅粉、0.5g～2g二茂铁；

S104：向所述步骤S103得到的产物中加入聚碳硅烷并搅拌1h～2h，然后加热至60℃～80℃并搅拌，直至将溶液中的二甲苯挥发完，然后将其在60℃～80℃温度下干燥10h～16h；其中，所述聚碳硅烷与所述异丙醇锆的质量比为5：(1～2)；

S105：向所述步骤S104得到的产物中滴加二乙烯基苯，然后加热至40℃～60℃并保温搅拌2h～4h；其中，所述步骤S104得到的产物与所述二乙烯基苯的质量比为8：(1～2)；

S106：将所述步骤S105得到的产物加压至4MPa～8MPa，并进行程序升温至420℃～440℃并保温6h～8h，然后冷却至室温，得到粗产物；

S107：将所述粗产物溶于二甲苯中，然后过滤并减压蒸馏，得到含锆聚碳硅烷。

2.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述保护气体至少为氮气和氩气中的一种。

3.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述保护气体的流量为20mL/min～50mL/min。

4.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述步骤S104、所述步骤S105和所述步骤S106均在惰性气体氛围下进行。

5.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，在所述步骤S106中，所述程序升温的步骤为：首先在0.4h～0.6h内将其升温至90℃～110℃并保温1h～2h，然后在0.5h～1h内将其升温至420℃～440℃并保温6h～8h。

6.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述硅粉为纳米级硅粉，其粒径为1nm～900nm。

7.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，在所述步骤S104中，在进行干燥过程时，在马弗炉中进行。

8.权利要求1-7任一项所述的方法制备的含锆聚碳硅烷。

9.权利要求1-7任一项所制备的含锆聚碳硅烷在高温陶瓷领域的应用。