[发明专利]蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法有效
| 申请号： | 201910204193.5 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110061089B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 夏恒;谷雪 | 申请（专利权）人： | 北京铭镓半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰;樊锦标 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 斜切 衬底 优化 氧化 薄膜 生长 紫外 探测器 性能 方法 | ||
1.一种氧化镓薄膜光电探测器，包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其特征在于：所述衬底为0001取向且表面沿11-20有一个斜切角度的Al2O3衬底，所述氧化镓薄膜为β-Ga2O3薄膜；所述β-Ga2O3薄膜的厚度为10nm至100nm；
其中，所述斜切角度大于6°，且小于8°；
其中，采用磁控溅射技术在Al2O3衬底上生长β-Ga2O3薄膜，所述磁控溅射技术的具体生长参数如下：以99.99％纯度的Ga2O3陶瓷为靶材，背底真空压强小于1×10-4Pa，工作气氛为Ar气，工作气压为0.01～10Pa，衬底温度为600℃～850℃，溅射功率为60W～100W，溅射时间为15min。
2.如权利要求1所述的氧化镓薄膜光电探测器，其特征在于：所述斜切角度为6°。
3.一种氧化镓薄膜的制造方法，包括以下步骤：
在Al2O3衬底上，采用磁控溅射法生长氧化镓薄膜；其特征在于：所述衬底为0001取向且表面沿11-20有一个斜切角度的Al2O3衬底，所述氧化镓薄膜为β-Ga2O3薄膜；所述β-Ga2O3薄膜的厚度为10nm至100nm；
其中，所述斜切角度大于6°，且小于8°；
其中，所述磁控溅射法的具体生长参数如下：以99.99％纯度的Ga2O3陶瓷为靶材，背底真空压强小于1×10-4Pa，工作气氛为Ar气，工作气压为0.01～10Pa，衬底温度为600℃～850℃，溅射功率为60W～100W，溅射时间为15min。
4.如权利要求3所述的氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述斜切角度为6°。
5.一种氧化镓薄膜光电探测器的制造方法，所述氧化镓薄膜光电探测器包括氧化镓薄膜，其特征在于，所述氧化镓薄膜是通过权利要求3或4所述的氧化镓薄膜的制造方法所制造的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铭镓半导体有限公司，未经北京铭镓半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910204193.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
