[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 201910203642.4 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN111725405A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 段佩珍;王永磊;唐泽国 | 申请(专利权)人: | 北京宏泰创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池组件,所述钙钛矿太阳能电池组件包括衬底、透明导电层、电池活性层和背电极,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池组件包括:
第一沟道,所述第一沟道垂直穿过所述透明导电层,将所述透明导电层等间隔的分成n部分,其中n≥2,且为正整数;
第二沟道,所述第二沟道位于所述第一沟道的一侧,并垂直穿过所述电池活性层;和
第三沟道,所述第三沟道位于所述第二沟道的与所述第一沟道相对的一侧,所述第三沟道垂直穿过所述背电极和所述电池活性层。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池组件还包括位于所述电池组件两端的第四沟道,所述第四沟道垂直穿过所述电池活性层。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于,所述第四沟道的宽度为0.1-10mm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于,所述电池活性层包括电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于所述第一沟道、第二沟道和第三沟道的宽度均为30-200μm。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于所述第一沟道和所述第二沟道之间以及所述第二沟道和所述第三沟道之间的距离均为80-300μm。
7.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于所述透明导电层厚度为100-700nm,所述电子传输层厚度为10-200nm,所述钙钛矿吸收层厚度为100-1000nm,所述空穴传输层厚度为50-500nm,且所述背电极层厚度为30-200nm。
8.用于制备根据权利要求1-7中任一项所述的钙钛矿太阳能电池组件的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
准备衬底;
在所述衬底上制备透明导电层;
在所述透明导电层上制作所述第一沟道;
在制作有所述第一沟道的透明导电层上制备所述电池活性层;
在所述电池活性层上制作所述第二沟道;
在所述电池两端制作所述第四沟道;
在制作有第二沟道的电池活性层上制备背电极;
制作所述第三沟道。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一沟道、第二沟道、第三沟道和第四沟道通过采用激光切割或机械切割方式制作。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,在制作所述第三沟道之后还包括清除电池组件非有效区域部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择