[发明专利]光检测装置和电子设备有效
| 申请号: | 201910196678.4 | 申请日: | 2013-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN110233157B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 梅林拓;田谷圭司;井上肇;金村龙一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 装置 电子设备 | ||
1.一种光检测装置,其包括:
第一半导体部,所述第一半导体部包括在所述第一半导体部的第一侧的第一布线层,所述第一半导体部包括传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管中的至少一者和在所述第一半导体部的第二侧上的多个光电二极管,其中,所述第一半导体部的所述第二侧与所述第一半导体部的所述第一侧相对;
第二半导体部,所述第二半导体部包括多个晶体管和在所述第二半导体部的第一侧的第二布线层,其中,所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起,以使所述第一半导体部的所述第一侧和所述第二半导体部的所述第一侧彼此面对;和
第三半导体部,所述第三半导体部包括第三布线层和多个晶体管,其中,所述第三半导体部的侧面和所述第二半导体部的与所述第二半导体部的所述第一侧相对的所述第二侧彼此面对,
其中,所述第一半导体部和所述第二半导体部通过第一导体彼此电连接,
其中,所述第二半导体部和所述第三半导体部通过第二导体彼此电连接,且
其中,外部连接用电极形成在所述第一半导体部中。
2.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一导体和所述第二导体将所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层之中的至少两者电连接。
3.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一导体彼此电连接,
其中所述第二布线层和所述第三布线层通过所述第二导体彼此电连接。
4.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第二半导体部的所述多个晶体管布置在逻辑电路中。
5.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第三半导体部的所述多个晶体管布置在存储器电路中。
6.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一半导体部包括第一绝缘层,其中所述第二半导体部包括第二绝缘层和第三绝缘层,其中所述第三半导体部包括第四绝缘层,其中所述第二绝缘层布置在所述第二半导体部的面对所述第一半导体部的所述第一侧,且其中所述第三绝缘层布置在所述第二半导体部的面对所述第三半导体部的所述第二侧。
7.如权利要求6所述的光检测装置,其中所述第一导体在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间进行电连接,其中所述第二导体在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间进行电连接。
8.如权利要求7所述的光检测装置,其中所述第二导体经由所述第二绝缘层在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间进行电连接。
9.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一导体和所述第二导体布置在除包括所述多个光电二极管的像素区域之外的周边区域。
10.如权利要求9所述的光检测装置,其中所述像素区域包括多个片上透镜和多个滤色器。
11.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述光检测装置为背侧照射型摄像装置。
12.如权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一半导体部包括第一半导体基板,其中所述第二半导体部包括第二半导体基板,其中所述第三半导体部包括第三半导体基板。
13.如权利要求6所述的光检测装置,其中所述第一绝缘层包括第一布线,所述第二绝缘层包括第二布线,所述第三绝缘层包括第三布线,且所述第四绝缘层包括第四布线。
14.如权利要求13所述的光检测装置,其中所述第一布线为所述外部连接用电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





