[发明专利]一种集中-分散并联型开关电容均衡电路及其控制方法有效
申请号: | 201910196080.5 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN109921485B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 张小兵;周国华;冷敏瑞;田庆新 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 成都盈信专利代理事务所(普通合伙) 51245 | 代理人: | 崔建中 |
地址: | 611756 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集中 分散 并联 开关 电容 均衡 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种集中-分散并联型开关电容均衡电路,其特征在于,包括依次串联的电池B1,B2,…,Bn,n≥3,其中有且仅有一个电池为集中并联电池Bj;
当j=n,还包括
电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i<j;
当1<j<n,还包括
电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i<j;
电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j;
当j=1,还包括
电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j。
2.如权利要求1上所述的一种集中-分散并联型开关电容均衡电路的控制方法,其特征在于,用一对频率固定、占空比互补且带有死区时间的PWM信号VGS1和VGS2分别控制所述MOS管,其中:VGS1控制Si1、Si2和Sk1、Sk2,VGS2控制Sij1、Sij2和Skj1、Skj2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学,未经西南交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910196080.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双电压摄像机电池
- 下一篇:基于磷酸铁锂电池的电力通信直流电源装置