[发明专利]统一微型发光二极管元器件取向的方法及应用其的巨量转移方法在审
申请号: | 201910195872.0 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN110112090A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 唐小兵;陈祖辉;严群;林金堂;赵晓刚;田洪涛;黄屏;林碧新;黄丽超;吴莉 | 申请(专利权)人: | 泉州市盛维电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L27/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362200 福建省泉州市晋*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型发光二极管 元器件 取向 水性溶液 衬底表面 统一 元器件放置 电路基板 模具定位 亲水处理 疏水处理 低成本 良品率 应用 漂浮 震荡 施加 | ||
1.一种统一微型发光二极管元器件的取向的方法,其特征在于,包括:
对多个微型发光二极管元器件中每一个的衬底表面进行亲水处理或疏水处理;
将经过所述亲水处理或疏水处理后的各个所述微型发光二极管元器件放置到溶液中,并对所述溶液施加震荡,使得漂浮在所述水性溶液表面的各个所述微型发光二极管元器件的所述衬底表面皆朝向上方或下方;所述溶液是水性溶液或油性溶液。
2.一种统一微型发光二极管元器件的取向的方法,其特征在于,包括:
对多个微型发光二极管元器件中每一个的电极侧表面进行亲水处理或疏水处理;
将经过所述亲水处理或疏水处理后的各个所述微型发光二极管元器件放置到溶液中,并对所述溶液施加震荡,使得漂浮在所述水性溶液表面的各个所述微型发光二极管元器件的所述电极侧表面皆朝向上方或下方;所述溶液是水性溶液或油性溶液。
3.一种微型发光二极管巨量转移方法,其中应用了如权利要求1或2所述的统一微型发光二极管元器件的取向的方法。
4.如权利要求3所述的微型发光二极管巨量转移方法,用于将多个微型发光二极管元器件转移到电路基板上,并在所述电路基板上形成微型发光二极管第二阵列,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制作微型发光二极管第一阵列,其中的各个微型发光二极管元器件的电极侧表面带有第一P型接触和第一N型接触;
S2、在所述电极侧表面上设置保护膜;
S3、配置含有硅偶联剂或氟硅偶联剂的第一溶液,然后将所述微型发光二极管第一阵列放入所述第一溶液中,以对微型发光二极管元器件的衬底侧表面进行疏水处理;
S4、对完成步骤S3的微型发光二极管第一阵列,除去所述保护膜,然后进行切割,以获得各个微型发光二极管元器件;
S5、制作带有多个孔洞的转载模具,所述孔洞的排布与所述微型发光二极管第二阵列一致;
S6、将所述转载模具经过对准放置在所述电路基板上,以能够通过各个所述孔洞暴露所述电路基板上的用于电连接各个微型发光二极管元器件的第一P型接触和第一N型接触的多个第二P型接触和第二N型接触;
以所述转载模具在所述电路基板上方的取向,将带有所述转载模具的所述电路基板放置到容纳有第二溶液的容器中;并将各个微型发光二极管元器件放入所述第二溶液中,对所述第二溶液施加震荡;所述第二溶液为所述水性溶液;
S7、控制所述第二溶液的液面相对于所述转载模具的距离,使得所述各个微型发光二极管元器件进入所述转载模具的各个孔洞中;
将带有所述各个微型发光二极管元器件的所述转载模具和所述电路基板从所述第二溶液中取出。
5.如权利要求3所述的微型发光二极管巨量转移方法,用于将多个微型发光二极管元器件转移到电路基板上,并在所述电路基板上形成微型发光二极管第二阵列,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制作微型发光二极管第一阵列,其中的各个微型发光二极管元器件的电极侧表面带有第一P型接触和第一N型接触;
S2、在所述电极侧表面上设置保护膜;
S3、配置含有聚乙二醇、聚乙烯醇、N-乙烯基吡咯烷酮或十二烷基硫酸钠的第一溶液,然后将所述微型发光二极管第一阵列放入所述第一溶液中,以对微型发光二极管元器件的衬底侧表面进行亲水处理;
S4、对完成步骤S3的微型发光二极管第一阵列,除去所述保护膜,然后进行切割,以获得各个微型发光二极管元器件;
S5、制作带有多个凹陷部的转载模具,所述凹陷部的排布与所述微型发光二极管第二阵列镜像对称地一致;
S6、以所述凹陷部朝向上方的取向,将所述转载模具放置到容纳有第二溶液的容器中;并将各个微型发光二极管元器件放入所述第二溶液中,对所述第二溶液施加震荡;所述第二溶液为所述水性溶液;
S7、控制所述第二溶液的液面相对于所述转载模具的距离,使得所述各个微型发光二极管元器件进入所述转载模具的各个凹陷部中;
将带有所述各个微型发光二极管元器件的所述转载模具从所述第二溶液中取出,并将所述电路基板经过对准放置到所述转载模具上,使得所述各个微型发光二极管元器件第一P型接触和第一N型接触与所述驱动电路基板上的各个第二P型接触和第二N型接触分别对准;
取下所述转载模具。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造