[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基底，基底包括主动开关区域和光传感器区域，在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；

在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，以覆盖主动开关区域和光传感器区域；

使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于第二半导体层上方的第二光阻部；

基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；

将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器；

所述半色调掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部；

所述使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部的步骤包括：

使用半色调掩膜，形成位于欧姆接触层上方的第一光阻侧部、光阻中部和第二光阻侧部以得到第一光阻部，同时，形成位于第二半导体层上方的第二光阻部；

其中，所述光阻中部的光阻厚度为第一厚度，所述第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度为第二厚度，所述第二光阻部的光阻厚度为第三厚度；所述第一厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第三厚度；

所述基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成直接位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层的步骤包括：

蚀刻第二半导体层材料形成位于第一光阻部下方的第二半导体层，并形成位于第二光阻部下方的光感半导体层；

蚀刻第二金属层材料形成位于第二半导体层下方的第二金属层，以及位于光感半导体层下方的光感金属层；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得光阻中部完全蚀刻，而第一光阻侧部、第二光阻侧部和第二光阻部不完全蚀刻；

蚀刻第二半导体层使得第二半导体层形成对应光阻中部镂空，并蚀刻第二金属层形成沟道以及位于第一光阻侧部和第二光阻侧部下方的源极层和漏极层；

蚀刻欧姆接触层使得欧姆接触层对应沟道处镂空，使得欧姆接触层形成分别对应源极层和漏极层的两个部分；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得第一光阻侧部和第二光阻侧部完全蚀刻，同时第二光阻部不完全蚀刻；

完全蚀刻清除第二半导体层，同时，保留对应第二光阻部的光感半导体层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器的步骤包括：

蚀刻第二光阻部，使得第二光阻部完全蚀刻清除；

在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层，形成的透明电极层通过过孔连接于漏极层；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层，形成的光感钝化层对应光感半导体层的中部设置有镂空部，光感透明电极层通过镂空部连通于光感半导体层。