[发明专利]一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片

权利要求书

1.一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：它包括谐振器本体、谐振层（2-1）、硅硅键合层（2-2）和谐振层固定座（2-3），谐振层固定座（2—3）为硅结构，谐振层固定座（2—3）与谐振层（2—1）中谐振器本体的第一锚块（701）、第二锚块（702）和备用电极通路（502）构成一整体，通过硅硅键合层（2—2）将硅与谐振层固定座（2—3）与谐振层（2—1）中的第一锚块（701）、第二锚块（702）和备用电极通路（502）键合至一起，使谐振器构成一个整体的刚性结构；

谐振器本体包括第一引出电极（101）、第二引出电极（102）、第三引出电极（103）、第四引出电极（104）、第一驱动电极（401）、第二驱动电极（402）、第三驱动电极（403）、备用电极（15）、第一锚块（701）、第二锚块（702）、下横拉梁（142）、上横拉梁（141）、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块（301）、第二连接块（302）、第三连接块（303）、第四连接块（304）、驱动电极通路（501）、备用电极通路（502）、第一连接梁（201）、第四连接梁（204）、第五连接梁（205）、第七连接梁（207）、第二连接梁（202）、第三连接梁（203）、第六连接梁（206）和第八连接梁（208）；

第一引出电极（101）、第三驱动电极（403）和第四引出电极（104）位于同一排，第二引出电极（102）、第二驱动电极（402）和第三引出电极（103）位于同一排，第一锚块（701）和第二锚块（702）安装在第二驱动电极（402）和第三驱动电极（403）之间，第一锚块（701）和第二锚块（702）之间分别通过下横拉梁（142）和上横拉梁（141）连接，下横拉梁（142）和上横拉梁（141）与第二驱动电极（402）和第三驱动电极（403）之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块（301）和第二连接块（302）连接后安装在第一锚块（701）的外侧，第三连接块（303）和第四连接块（304）连接后安装在第二锚块（702）的外侧，第一驱动电极（401）与第一连接块（301）和第二连接块（302）之间通过驱动电极通路（501）连接，备用电极（15）与第三连接块（303）和第四连接块（304）之间通过备用电极通路（502）连接，第一引出电极（101）与上谐振单元之间通过第一连接梁（201）连接，第二引出电极（102）与下谐振单元之间通过第四连接梁（204）连接，第三引出电极（103）与下谐振单元之间通过第五连接梁（205）连接，第四引出电极（104）与上谐振单元之间通过第八连接梁（208）连接，第一连接块（301）与上谐振单元之间通过第二连接梁（202）连接，第二连接块（302）与下谐振单元之间通过第三连接梁（203）连接，第三连接块（303）与下谐振单元之间通过第六连接梁（206）连接，第四连接块（304）与上谐振单元之间通过第七连接梁（207）连接。

2.根据权利要求1的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：下横拉梁（142）和上横拉梁（141）与第一锚块（701）的交汇处的左侧设有第一锚块孔（601）和第二锚块孔（602）。

3.根据权利要求2的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：下横拉梁（142）和上横拉梁（141）与第二锚块（702）的交汇处设有第三锚块孔（603）和第四锚块孔（604）。