[发明专利]一种包含双谐振腔的双向变换电路以及变换器在审
| 申请号： | 201910187192.4 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109787479A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘君;刘斌;查恺华;江良星;李佳窈 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振腔 变换器 变压器 电路 均衡电路 双向变换 减小 串联谐振电感 副边整流电路 全桥逆变电路 变压器副边 变压器原边 磁性元器件 器件利用率 谐振变换器 电路故障 工作正常 功率利用 双向运行 谐振电容 均衡器 热设计 并联 适配 拓扑 原边 缓解 保证 | ||
1.一种包含双谐振腔的双向变换电路，包括主开关电路、第一谐振腔、第二谐振腔、电感、第一整流电路和第二整流电路；其中，
主开关电路包括第一输出端和第二输出端；
第一谐振腔包括串联的第一谐振电感、第一谐振电容以及与第一谐振腔适配使用的第一变压器的原边，第二谐振腔包括串联的第二谐振电感、第二谐振电容以及与第一谐振腔适配使用的第二变压器的原边；第一谐振腔与第二谐振腔并联后，连接在第一输出端和第二输出端之间；
电感连接在第一输出端和第二输出端之间；
第一整流电路与所述的第一变压器的副边连接，第二整流电路与所述的第二变压器的副边连接。
2.根据权利要求1所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：还包括均衡电路，均衡电路连接在所述的第一变压器的副边和所述的第二变压器的副边之间。
3.根据权利要求2所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：均衡电路包括均衡电容。
4.根据权利要求3所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：均衡电路包括串联的小电阻和均衡电容。
5.根据权利要求1所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：主开关电路包括第一功率MOS管、第二功率MOS管、第三功率MOS管、第四功率MOS管和电容，第一功率MOS管的源极与第三功率MOS管的漏极连接在一起作为第一输出端，第二功率MOS管的源极与第四功率MOS管的漏极连接在一起作为第二输出端；电容的一端与第一功率MOS管的漏极、第二功率MOS管的漏极连接在一起，电容的另一端与第三功率MOS管的源极、第四功率MOS管的源极连接在一起。
6.根据权利要求5所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：第一功率MOS管、第二功率MOS管、第三功率MOS管和第四功率MOS管均为金属氧化物场效应晶体管MOSFET。
7.根据权利要求1所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：第一整流电路包括第五功率MOS管和第六功率MOS管，所述的第一变压器的副边分别连接第五功率MOS管的源极与第六功率MOS管的源极；第二整流电路包括第七功率MOS管和第八功率MOS管，所述的第二变压器的副边分别连接第七功率MOS管的源极与第八功率MOS管的源极；第五功率MOS管的漏极、第六功率MOS管的漏极、第七功率MOS管的漏极和第八功率MOS管的漏极连接在一起，作为整流电路输出端。
8.根据权利要求7所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：第五功率MOS管、第六功率MOS管、第七功率MOS管和第八功率MOS管均为金属氧化物场效应晶体管MOSFET。
9.根据权利要求7所述的包含双谐振腔的双向变换电路，其特征在于：还包括滤波电路，滤波电路与整流电路输出端连接。
10.一种变换器，其特征在于：包括权利要求1～9任一权利要求所述的包含双谐振腔的双向变换电路。
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