[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910184715.X | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109935605A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 岳欢;金利波;朱翀煜;樊华 | 申请（专利权）人： | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电二极管 图像传感器 底电极 金属层 源极 栅极绝缘层 漏极 制作 图形化金属层 产品良率 第二表面 第一表面 工艺步骤 公共电极 相对设置 电连接 掩膜板 产品结构 | ||
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成栅极；
于所述衬底及栅极上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成IGZO有源层；
在所述栅极绝缘层及IGZO有源层上形成金属层；
在所述金属层上形成光电二极管；
图形化所述金属层，形成漏极、源极及光电二极管底电极，其中，所述光电二极管底电极与所述源极电连接，所述光电二极管底电极包括相对设置的与所述栅极绝缘层相接触的第一表面及与所述光电二极管相接触的第二表面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：在所述金属层上形成光电二极管后，还包括形成位于所述光电二极管上方的公共电极的步骤，所述公共电极的材料包括氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：还包括形成钝化层的步骤。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：还包括形成平坦层的步骤。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：还包括形成金属元件的步骤，其中，所述金属元件包括TFT元件的遮光元件、与公共电极电连接的公共电极走线及与所述漏极电连接的数据走线中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：还包括形成保护层的步骤。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：所述栅极的材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、铌(Nb)中的一种或组合。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于：所述栅极绝缘层包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层中的一种或组合。
9.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
TFT元件，所述TFT元件包括栅极、栅极绝缘层、IGZO有源层、源极及漏极；
光电二极管底电极，所述光电二极管底电极与所述源极电连接，所述光电二极管底电极包括相对设置的与所述栅极绝缘层相接触的第一表面及与光电二极管相接触的第二表面。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述图像传感器还包括位于所述光电二极管上方的公共电极，所述公共电极包括氧化铟锡公共电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
