[发明专利]一种卤素离子协助的硫化铜微米花材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910182310.2 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109921016A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张小俊;潘中昊;蔡国辉 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/36;H01M10/0525;H01M10/054;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化铜 钠离子电池 卤素离子 制备方法和应用 微米花材料 层间距 卤化钠 钠离子 充放电过程 二次蒸馏水 高压反应釜 混合溶液中 循环稳定性 负极材料 活性物质 快速移动 水热反应 完全溶解 无水乙醇 电解液 对电极 硫脲 配位 铜源 脱嵌 浸润 洗涤 溶解 保证 | ||
1.一种卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
将铜源与硫脲溶解于二次蒸馏水和无水乙醇的混合溶液中，混合均匀后，加入卤化钠，待卤化钠完全溶解后，转移至高压反应釜中进行水热反应，反应结束后自然冷却，经离心、洗涤、干燥，即可得到卤素离子协助的硫化铜微米花材料。
2.根据权利要求1所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的条件为：120℃～140℃反应10～14h。
3.根据权利要求1或2所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述铜源为硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜中的一种或多种。
4.根据权利要求1或2所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述铜源为硝酸铜。
5.根据权利要求1或2所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述卤化钠为氯化钠、溴化钠或碘化钠中的一种或多种。
6.根据权利要求1或2所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述铜源、硫脲、卤化钠的物质的量之比为1:2:1～3。
7.根据权利要求1或2所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料的制备方法，其特征在于，所述二次蒸馏水和无水乙醇的体积之比为5:2，所述铜源在二次蒸馏水和无水乙醇的混合溶液中的最终浓度为0.1～0.2M。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的制备方法制备得到的卤素离子协助的硫化铜微米花材料。
9.根据权利要求8所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料在制备锂/钠离子电池负极材料中的应用。
10.根据权利要求8所述的卤素离子协助的硫化铜微米花材料作为负极材料在锂/钠离子电池方面的应用。
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