[发明专利]基板制造方法在审
| 申请号： | 201910177308.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246758A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 池野顺一;山田洋平;铃木秀树;野口仁 | 申请（专利权）人： | 信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶基板 激光聚光 基板制造 氧化镁单晶基板 表面照射激光 加工痕迹 相对移动 照射条件 二维状 照射 非接触 聚光的 照射线 面状 剥离 并列 激光 配置 | ||
1.一种基板制造方法，其特征在于，具备：
第1工序，在氧化镁的单晶构件的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备，
第2工序，使用所述激光聚光设备，在规定的照射条件下对所述单晶构件表面照射激光、将所述激光聚光于所述单晶构件内部，同时使所述激光聚光设备和所述单晶构件二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列，以及
第3工序，使用所述激光聚光设备，在规定的照射条件下对所述单晶构件表面照射激光、将所述激光聚光于所述单晶构件内部，同时使所述激光聚光设备和所述单晶构件二维状地相对移动，从而在通过所述第2工序的照射而形成的相邻的所述加工痕迹列之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
2.根据权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，
在所述第2工序中，通过激光的聚光，形成将所述激光进行反射的反射层，
在所述第3工序中，通过所述反射层来反射所述激光。
3.根据权利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，
使用单晶基板作为所述单晶构件。
4.根据权利要求2所述的基板制造方法，其特征在于，
使用单晶基板作为所述单晶构件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板制造方法，其特征在于，
作为激光，照射高亮度激光。
6.根据权利要求5所述的基板制造方法，其特征在于，
作为激光，照射脉冲宽度为10ns以下的激光。
7.根据权利要求6所述的基板制造方法，其特征在于，
作为激光，照射脉冲宽度为100ps以下的激光。
8.根据权利要求7所述的基板制造方法，其特征在于，
作为激光，照射脉冲宽度为15ps以下的激光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学，未经信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
