[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910171830.3 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110911490A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 齐藤泰伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
第一氮化物半导体层，设于所述基板上；
第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层上，带隙比所述第一氮化物半导体层大；
源极电极，设于所述第二氮化物半导体层上；
漏极电极，设于所述第二氮化物半导体层上；
栅极电极，设于所述源极电极与所述漏极电极之间；以及
p型的第三氮化物半导体层，在所述漏极电极与所述栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层上，与所述漏极电极分离地设置。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述漏极电极与所述栅极电极的距离d1和平行于基板面的方向的所述第三氮化物半导体层的长度d2是0.5μm≤d1－d2≤2μm。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三氮化物半导体层的膜厚t2是40nm以下。
4.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
第一氮化物半导体层，设于所述基板上；
源极电极，设于所述第一氮化物半导体层上；
漏极电极，设于所述第一氮化物半导体层上；
栅极电极，设于所述源极电极与所述漏极电极之间；
第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层与所述漏极电极之间，带隙比所述第一氮化物半导体层大；
第三氮化物半导体层，在所述栅极电极与所述漏极电极之间的所述第一氮化物半导体层上，设于所述第二氮化物半导体层的侧方，带隙比所述第一氮化物半导体层大且带隙比所述第二氮化物半导体层小；以及
第四氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层与所述源极电极之间，带隙比所述第一氮化物半导体层以及所述第三氮化物半导体层大。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述漏极电极与所述栅极电极的距离d1和所述漏极电极与所述栅极电极之间的平行于基板面的方向的所述第三氮化物半导体层的长度d3是0.5μm≤d1－d3≤2μm。
6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二氮化物半导体层的膜厚t1和所述第三氮化物半导体层的膜厚t3之比t1/t3是1以上且1.7以下。
7.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
第一氮化物半导体层，设于所述基板上；
第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层上，带隙比所述第一氮化物半导体层大；
源极电极，设于所述第二氮化物半导体层上；
漏极电极，设于所述第二氮化物半导体层上；
栅极电极，设于所述源极电极与所述漏极电极之间；以及
包含卤族元素的第三氮化物半导体层，在所述漏极电极与所述栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层内，与所述漏极电极分离地设于所述第二氮化物半导体层的表面。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二氮化物半导体层的膜厚t1和所述第三氮化物半导体层的膜厚t4之比t1/t4是1.5以上且10以下。
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