[发明专利]全无机钙钛矿微米片、肖特基型紫外光电探测器及制法在审
| 申请号： | 201910170863.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109980037A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 方国家;桂鹏彬 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 紫外光电探测器 无机钙钛矿 肖特基型 钙钛矿 探测器 制备 制法 选择性探测 容器密封 紫外光 反溶剂 灵敏度 溶液滴 响应度 右电极 左电极 生长 液面 移入 配制 响应 覆盖 恢复 | ||
1.一种全无机钙钛矿微米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.配制摩尔浓度为0.01mol/L～0.1mol/L的CsPbCl3溶液；
步骤2.将CsPbCl3溶液滴加到衬底上，然后将另一片衬底覆盖在滴有CsPbCl3溶液的衬底上，得到夹设有CsPbCl3溶液的双层衬底；
步骤3.将双层衬底移入盛有反溶剂的容器中，并使衬底高于液面，然后将容器密封；
步骤4.将密封后的容器置于热台上，生长温度为30～70℃，生长时间为12～96h，最终在衬底上生长出CsPbCl3钙钛矿微米片。
2.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米片的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤1中，采用DMSO或者DMF作为溶剂配置CsPbCl3溶液。
3.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米片的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤2中，采用的衬底为Si/SiO2、玻璃、ITO或GaN衬底。
4.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米片的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤3中，采用的反溶剂为甲苯或者氯苯。
5.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米片的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤4中，生长出的CsPbCl3钙钛矿微米片的尺寸为10-100微米，厚度为100～1000纳米。
6.一种肖特基型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤I.在衬底上制备呈左右结构的ITO电极；
步骤II.采用权利要求1至5中任意一项所述的制备方法合成全无机钙钛矿微米片；
步骤III.采用干法转移技术将合成的全无机钙钛矿微米片转移到步骤I所得的ITO电极上，得到具有ITO左电极/CsPbCl3钙钛矿微米片/ITO右电极结构的紫外光电探测器。
7.根据权利要求6所述的肖特基型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤I中，采用的衬底为Si/SiO2衬底。
8.根据权利要求6所述的肖特基型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：
其中，在步骤III中，干法转移技术包括直接接触法和胶带转移法。
9.一种全无机钙钛矿微米片，其特征在于：
采用权利要求1至5中任意一项所述的制备方法制得。
10.一种肖特基型紫外光电探测器，其特征在于：
采用权利要求6至8中任意一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
