[发明专利]一种用于OLED的PET基抗静电保护膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于OLED的PET基抗静电保护膜，其特征在于，所述用于OLED的PET基抗静电保护膜从上至下依次包括：锑掺杂的二氧化锡纳米粒子改性抗静电层、PET膜、米粒基多孔碳材料改性抗静电层、压敏胶层、锑掺杂的二氧化锡纳米粒子改性抗静电层和离型膜。

2.根据权利要求1所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜，其特征在于，所述锑掺杂的二氧化锡纳米粒子改性抗静电层的厚度为0.1-3μm，所述PET膜的厚度为25-75μm，所述压敏胶层的厚度为25-30μm，所述离型膜的厚度为20-50μm。

3.权利要求1或者2所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)将锑掺杂的二氧化锡置于去离子水中，超声分散后，滴加硅烷偶联剂，高速球磨处理，得到锑掺杂的二氧化锡纳米浆料；

(2)将米粒洗涤干净后，气爆处理，再经高温炭化处理，研磨处理，得到米粒基多孔碳材料；

(3)在惰性氛围下，将对苯二甲酸、催化剂和稳定剂加入乙二醇中，加热加压酯化反应，加入步骤(1)制备的锑掺杂的二氧化锡纳米浆料混合，抽真空继续升温缩聚，得到锑掺杂二氧化锡改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯；

(4)在惰性氛围下，将对苯二甲酸、催化剂和稳定剂加入乙二醇中，加热加压酯化反应，加入步骤(2)制备的米粒基多孔碳材料混合，抽真空继续升温缩聚，得到米粒基多孔碳材料改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯；

(5)将离型膜作为基材，利用旋涂工艺，依次将步骤(3)制备的锑掺杂二氧化锡改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、压敏胶、步骤(4)制备的米粒基多孔碳材料改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、PET、步骤(3)制备的锑掺杂二氧化锡改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯旋涂其上，热压，得到用于OLED的PET基抗静电保护膜。

4.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，硅烷偶联剂的用量占整个体系质量的0.8-1wt％。

5.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，高速球磨处理的球由直径为1mm和3mm钢球构成，两种钢球的总质量比为1:1，转速为3000-5000r/min，时间为2-3d。

6.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，锑掺杂的二氧化锡纳米浆料中锑掺杂的二氧化锡的粒径为10-30nm。

7.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，气爆的压力为0.85-1MPa，温度为100-110℃。

8.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)或者(4)中，加热加压酯化的温度为240-250℃，压力为0.25-0.3MPa，时间为1.5-2h。

9.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)或者(4)中，缩聚的真空度为20-50Pa，温度为280-290℃，时间为3-4h。

10.根据权利要求3所述的一种用于OLED的PET基抗静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中，旋涂的转速为500-3000r/min，时间为40-60s,热压的温度为60-70℃，压力为0.2-0.3MPa。