[发明专利]一种钙钛矿太阳能组件及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，包括玻璃衬底层(1)、透明导电薄膜层(3)、第一接触层(4)、钙钛矿吸光层(5)、第二接触层(6)、金属电极(7)，所述玻璃衬底层(1)、金属栅线(2)、透明导电薄膜层(3)、第一接触层(4)、钙钛矿吸光层(5)、第二接触层(6)、金属电极(7)依次从下到上依次排列，所述玻璃衬底层(1)通过透明导电薄膜层(3)与第一接触层(4)固定连接，所述第一接触层(4)通过钙钛矿吸光层(5)与第二接触层(6)固定连接，所述第二接触层(6)与金属电极(7)固定连接，所述玻璃衬底层(1)内、透明导电薄膜层(3)内都设有金属栅线(2)。

2.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述透明导电薄膜层(3)的材料为FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)、IGO(铟掺氧化鎵)中的至少一种。

3.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述金属栅线(2)为银栅线、铜栅线、铝栅线、钼栅线、镍栅线中的至少一种。

4.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述钙钛矿吸光层(5)包括QMZ₃型钙钛矿材料，其中，所述Q为Cs⁺、K+、CH₃NH₃⁺、C(NH₂)₃⁺、CH(NH₂)₂⁺中的至少一种，所述M为Pb²⁺、Sn²⁺中的至少一种，所述Z为Br^-、I^-、Cl^-中的至少一种。

5.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述第一接触层(4)、第二接触层(6)都由p型半导体、n型半导体组成，所述p型半导体为NiO、CuSCN、CuI、ADO₂型铜铁矿半导体材料中的至少一种，所述n型半导体为富勒烯、富勒烯衍生物、TiO₂、XBO₃型钙钛矿半导体材料、Zn₂SnO₄、SnO₂、ZnO中的至少一种。

6.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述金属电极(7)为Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Ti中的至少一种。

7.根据权利要求1所述一种钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述金属栅线(2)的宽度应不小于100nm，所述金属栅线(2)的高度不低于1μm。