[发明专利]环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910165040.4 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109825803A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;侯亮亮;余宏;姚秋原;张晋敏;肖清泉;陈茜 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蒸发材料 薄膜 半导体材料 环境友好 沉积 制备 退火 半导体薄膜 电阻式蒸发 真空退火炉 薄膜结构 单晶基片 电阻加热 气态形式 直接加热 纯金属 放入 生产成本 蒸发 通电 体内 | ||
1.一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将Ge片清洗并干燥；
2)将清洗后的Ge片固定在蒸镀室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发舟内；
3)对Ge片进行蒸镀；
4)将Ge片蒸镀后进行冷却，再将冷却后的Ge片取出置于高真空退火炉中在低真空氛围中退火，形成一种环境友好半导体Mg2Ge多晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)将Ge片清洗并干燥的具体操作是：采用丙酮超声波震荡进行进行第一次清洗，第一次清洗之后，再使用无水乙醇超声波震荡进行第二次清洗；第二次清洗完成之后，再使用去离子水超声波震荡进行第三次清洗；将清洗干净的样品置于在80℃条件下烘烤，至表面完全干燥。
3.根据权利要求1所述的环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于：对Ge片进行蒸镀时的蒸镀室的真空度小于或等于1.0×10-3Pa时，蒸发电流为90A，蒸镀时的电阻式热蒸发的功率为16～19KW，蒸发速率保持在18-25nm/min左右，蒸发时间为18-25min。
4.根据权利要求1所述的环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于：步骤4)所述的将Ge片蒸镀后进行冷却，是指将蒸镀后的Ge片自然冷却至室温。
5.根据权利要求1所述的环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于：步骤4)退火条件是，退火炉背底真空小于或等于10-3Pa，退火前调节角阀，使退火炉腔体保持在低真空10-1Pa-10-2Pa，退火时间3-7小时,退火温度350℃，退火时间3-7小时,退火温度350℃。
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