[发明专利]气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法

说明书

提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。

本专利申请要求于2018年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0040089号的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种气体存储罐(gas storage cylinder)，更具体地，涉及一种气体存储罐、一种使用气体存储罐的沉积系统和一种制造半导体装置的方法。

背景技术

在半导体装置制造过程中，可以使用沉积工艺以在基底上形成材料层。存在可以使用的各种不同的沉积工艺，并且这些沉积工艺通常可以被分类为物理气相沉积(PVD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺。

可以使用诸如这些的沉积工艺以将材料层广泛地施加到基底上，然后可以将材料层图案化并蚀刻成期望的形式，或者可以使用沉积工艺以选择性地施加材料层，而不需要执行蚀刻。

发明内容

制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。

沉积系统包括处理腔室和设置在处理腔室的外部的气体供应单元。气体供应单元被构造为将一氯硅烷供应到处理腔室中。气体供应单元包括被构造为容纳气体存储罐的机壳。气体存储罐包括锰，并且气体存储罐在其中包含的一氯硅烷。

气体存储罐包括含有锰的罐。钝化部设置在罐的内表面内，并与罐的内表面接触。一氯硅烷存储在罐内，并且一氯硅烷与钝化部接触。

附图说明

通过参照所附的结合附图考虑时的详细描述，随着本公开变得更好理解，将更容易地获得对本公开更加彻底的理解和本发明许多随附的方面，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；

图2A至图2C是示出根据本发明构思的示例性实施例的使用气体存储罐来存储气体的方法的剖视图；

图2D是示出根据本发明构思的示例性实施例的气体存储罐的剖视图；

图2E是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储气体存储罐的存储方法的示意图；

图3A是示出根据本发明构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；

图3B是示出根据本发明构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；

图3C是示出根据本发明构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；

图4A是示出根据本发明构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；

图4B是示出根据本发明构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的形成含硅层的工艺的剖视图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的平面图；以及

图7A至图7D是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

具体实施方式

在描述附图中示出的本公开的示例性实施例时，为了清楚起见采用了特定术语。然而，本公开不意图局限于如此选择的特定术语，并且将理解的是，每个特定元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。

在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以表示相同或相似的元件。