[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201910160461.8 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110047948A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 于翠萍;黄延伟;丁严艳 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0368;H01L31/0392;H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层薄膜 制备 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 硫化锌 含氧 无镉 薄膜 六方纤锌矿 多晶薄膜 光学带隙 晶型结构 可见光区 太阳光谱 缓冲层 透射率 吸收层 带隙 含镉 可调 匹配 电池 响应 替代 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜，其特征在于：为含氧硫化锌多晶薄膜，其分子式是ZnxSyOz，其中x＝y+z；ZnxSyOz具有六方纤锌矿晶型结构。
2.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤一：将市售化学纯级硫化锌粉末在1000～2000℃下等静压烧结成直径为1～10cm、厚度为0.2～0.8cm的ZnS陶瓷靶；
步骤二：采用此靶材进行射频磁控溅射镀膜，工作气体为氧氩混合气，氧氩比为1:2～10；设定射频功率40～80W、起辉压强为2Pa、工作压强1.2Pa、溅射压强1.2Pa、基板温度80～300℃、溅射时间10～80min，在普通玻璃基板上即形成具有六方纤锌矿结构的含氧硫化锌多晶薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：步骤一中等静压烧结的温度为1400～1600℃。
4.根据权利要求2所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中的射频功率为50～60W。
5.根据权利要求2所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中的基板温度120～230℃。
6.根据权利要求2所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：溅射时间30～60min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
