[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201910160007.2 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN109888058B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 殷涵玉;何胜;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非;杨兴宇 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法,该制造方法包括如下步骤:
a1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构,其中,所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域;
a2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区,其中,所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反,所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度;或者,在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区,在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区,其中,所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反,所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度;
a3、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层;
a4、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极,其中,所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触,所述背面电极与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述步骤a2包括:
a21、对所述硅衬底进行扩散以实现所述硅衬底正面的轻掺杂,以扩散后在所述硅衬底正面所形成的第一玻璃中的杂质为掺杂源,利用激光掺杂的方式对所述第一中心区域的部分或全部区域进行重掺杂以形成第一重掺杂区、以及对所述第一两侧区域的部分区域进行重掺杂以形成第二重掺杂区,所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的区域为第一轻掺杂区,其中,所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度;又或者对所述硅衬底进行扩散以实现硅衬底正面的轻掺杂,以扩散后在所述硅衬底正面所形成的第一玻璃中的杂质为掺杂源,利用激光掺杂的方式对所述第一中心区域的部分区域或全部进行重掺杂以形成第一重掺杂区、以及对所述第一两侧区域的全部区域进行重掺杂以形成第二重掺杂区,所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的区域为第一轻掺杂区,其中,所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度;
a22、去除扩散在所述硅衬底表面形成的第一玻璃以及周边的PN结。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3;
所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述正面电极区的宽度是所述正面电极宽度的3倍至5倍;
所述正面电极区的第一中心区域的宽度是所述正面电极宽度的1倍至2倍。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元,该多个第一掺杂单元离散地分布在所述第一中心区域内。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其中,所述第一掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元,该多个第二掺杂单元离散地分布在所述第一两侧区域内。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述第二掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
9.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述多个第二掺杂单元的排列密度随着远离所述第一中心区域的方向减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的