[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910156871.5 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110060999A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 申东石;姜显澈;卢东贤;朴判贵;慎居明;李来寅;李哲雄;郑会晟;金永倬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/02;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/167;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上部半导体层 应力源 下部半导体层 半导体器件 源区 嵌入式 上表面 凹口 对准 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，其包括有源区；
栅电极，其在所述有源区上；
沟槽，其在所述有源区中并且与所述栅电极的侧部相邻，其中所述沟槽包括所述有源区的凹口部分；
应力源，其在所述沟槽中，其中所述应力源包括下部半导体层以及位于所述下部半导体层上的上部半导体层，并且其中所述上部半导体层的第一宽度窄于所述下部半导体层的第二宽度；以及
三个隔离物，其在所述上部半导体层与所述栅电极之间。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部半导体层的中心低于所述上部半导体层的最上表面。
3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括所述上部半导体层上的硅层，其中所述硅层的最下表面低于所述栅电极的最下表面。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述上部半导体层的中心低于所述上部半导体层的最上表面。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述有源区中的所述沟槽的所述凹口部分被所述下部半导体层的一部分完全填充。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部半导体层的侧壁相对于所述衬底的主表面倾斜。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部半导体层的侧壁相对于所述衬底的主表面倾斜。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部半导体层与所述上部半导体层的侧部和下表面接触。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部半导体层包括硅锗层，并且所述上部半导体层包括硅层或硅锗层。
10.一种半导体器件，包括：
衬底，其包括有源区；
栅电极，其在所述有源区上；
沟槽，其在所述有源区中并且与所述栅电极的侧部相邻，其中所述沟槽包括所述有源区的凹口部分；以及
应力源，其在所述沟槽中，其中所述应力源包括下部半导体层以及位于所述下部半导体层上的上部半导体层，其中所述上部半导体层的第一宽度窄于所述下部半导体层的第二宽度，其中所述上部半导体层的最上表面高于所述有源区的最上表面，并且其中所述上部半导体层的中心低于所述上部半导体层的最上表面。
11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括所述上部半导体层上的硅层，其中所述硅层的最下表面低于所述栅电极的最下表面。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其中在所述有源区中的所述沟槽的所述凹口部分被所述下部半导体层的一部分完全填充。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述下部半导体层的侧壁相对于所述衬底的主表面倾斜，并且所述上部半导体层的侧壁相对于所述衬底的所述主表面倾斜。
14.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述下部半导体层与所述上部半导体层的侧部和下表面接触。
15.一种半导体器件，包括：
衬底，其包括有源区；
栅电极，其在所述有源区上；
栅极介质层，其在所述栅电极与所述有源区之间；
沟槽，其在所述有源区中并且与所述栅电极的侧部相邻，其中所述沟槽包括所述有源区的凹口部分；以及
应力源，其在所述沟槽中，其中所述应力源包括下部半导体层，位于所述下部半导体层上的上部半导体层，以及位于所述上部半导体层上的硅层，其中所述上部半导体层的第一宽度窄于所述下部半导体层的第二宽度，并且其中所述硅层的最下表面低于所述栅极介质层的最下表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
