[发明专利]一种SnO2-rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
| 申请号: | 201910153106.8 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN109904331A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
| 发明(设计)人: | 王堉;陈乐伍;赖其聪;周航 | 申请(专利权)人: | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 郭智 |
| 地址: | 518100 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 复合电子 传输层 钙钛矿 制备 吸光层 旋涂 简化制备工艺 有机无机杂化 导电玻璃层 电池稳定性 钙钛矿结构 金属电极层 氧化锌掺杂 导电玻璃 低温制备 方块电阻 原料成本 透过率 层厚 上旋 蒸镀 沉积 | ||
本发明实施例提供一种SnO2‑rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法。所述方法包括:采用旋涂方法在氧化锌掺杂铝(AZO)导电玻璃上沉积N型层;所述的AZO导电玻璃层的方块电阻是10~15Ω,透过率在85%‑90%,所述的N型层为SnO2‑rGO,层厚为30~50nm;采用旋涂的方法制备一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层作为吸光层;在所述的吸光层上旋涂P型Sprio‑OMeTAD;采用OLED蒸镀金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果:低温制备SnO2‑rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池,提高电池稳定性和效率,简化制备工艺,降低原料成本。
技术领域
本发明涉及SnO2-rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池领域,特别涉及到一种SnO2-rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法。
背景技术
二氧化锡(SnO2)是一种N型半导体,对可见光具有良好的通透性,在水溶液中具有优良的化学稳定性以及迁移率高等优点,引起广大研究者的青睐。二氧化锡(SnO2)薄膜制备方法主要有磁控溅射法、溶胶-凝胶法,共沉淀法,电化学沉积法等。
有机无机杂化钙钛矿材料具有可调的光学禁带宽度、较高的载流子迁移率、较长的扩散长度、良好的吸收特性以及双极性传输特性备受研究者的关注,这种材料有效地提高了太阳能电池的效率。目前,钙钛矿薄膜的制备方法有很多,其中,比较常见的方法包括:一步溶液法、两步溶液法、蒸镀法以及溶液-气相沉积法等。
George Kakavelakis等人采用rGO掺杂PCBM电子传输层,提高电子的传输率,钝化了电子传输层与钙钛矿之间的界面,将钙钛矿太阳能电池的效率提高到14.5%。MohammadMahdi Tavakoli等人制备ZnO/rGO量子点钙钛矿太阳能电池,rGO不仅保护ZnO不被酸性溶液腐蚀,而且加快了电子的传输。另外,Tomokazu Umeyama等人将rGO嵌入到二氧化钛电子传输层中,但是,这个实验工艺条件尚需要优化,因此效率不高。Jun-Seok Yeo等人使用rGO掺杂钙钛矿溶液,辅助钙钛矿结晶,进一步提高电池的性能,且在柔性衬底上将效率提升到10%。目前,还没有研究者将二氧化锡电子传输层和rGO结合起来做在AZO衬底上,本实验工作有效地将两者结合,且工艺制备简单,性能优异。
在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:
现有技术中钙钛矿太阳能电池的制备工艺条件尚不够优化,效率不高,并且性能不够优异。
发明内容
本发明实施例一种SnO2-rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法,优点为工艺制备简单,性能优异。
一种SnO2-rGO复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤a、采用旋涂方法在AZO导电玻璃上沉积N型层;所述的AZO导电玻璃层的方块电阻是10~15Ω,透过率在85%~90%,所述的N型层为SnO2-rGO,为N型SnO2-rGO电子传输层,层厚为30~50nm;
步骤b、采用旋涂方法在N型层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3作为吸光层,为钙钛矿CH3NH3PbI3吸光层;
步骤c、在吸光层上使用旋涂的方法沉积一层P型材料Spiro-MeOTAD,为P型Sporo-MeOTAD空穴传输层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择





