[发明专利]一种BMC配置参数存储方法在审
| 申请号: | 201910152612.5 | 申请日: | 2019-02-28 | 
| 公开(公告)号: | CN109901862A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 | 
| 发明(设计)人: | 候志立 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 
| 主分类号: | G06F8/65 | 分类号: | G06F8/65;G06F8/71 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 参数数据 配置参数 参数文件 存储 读取 参数存储区 参数存储 可移植性 同步存储 文件系统 系统上电 校验信息 校验 时标 运维 服务器 存取 验证 保证 保存 失败 开发 | ||
1.一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,服务器及BMC系统上电;
步骤二,参数文件校验及参数数据获取,若是没有获得参数数据则进行步骤三;
步骤三,FLASH参数存储区验证及参数数据获取。
2.如权利要求1所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,所述参数文件校验及参数数据获取具体包括:
获取参数文件大小,打开参数文件,从参数文件中读取参数数据长度,二者不一致则转步骤三,反之,将PARA区的参数数据导入内存。
3.如权利要求2所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,将PARA区的参数数据导入内存后还包括从参数文件中读取参数的CRC校验码,并计算内存参数的CRC校验码,二者不一致则转步骤三。
4.如权利要求1所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,所述FLASH参数存储区验证及参数数据获取具体包括:
读取FLASH参数存储区1和参数存储区2的CRC校验码,并计算存储的参数数据的CRC校验码进行比较,参数存储区1校验通过且参数存储区2校验通过则转下一步进行存储时标验证,参数存储区1校验通过但是参数存储区2校验失败,则从参数存储区1中读取参数数据导入内存,参数存储区1校验失败但是参数存储区2校验通过,则从参数存储区2中读取参数数据导入内存;
FLASH参数存储区存储时标验证具体包括:读取FLASH参数存储区1和参数存储区2的保存时标,如果参数存储区1时标早于参数存储区2时标,则从参数存储区2中读取参数数据,反之,则从参数存储区1中读取参数数据。
5.如权利要求1所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,参数变更时,包括以下步骤:
参数变更,首先进行内存参数整理,计算内存参数的CRC校验值、数据长度并用当前系统时间初始化保存时标;
参数文件更新内存参数;
FLASH参数存储区更新内存参数。
6.如权利要求5所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,所述参数文件更新内存参数具体包括:
获取参数文件大小,从参数文件中读取参数长度,二者一致,则按照固定单位长度对比参数文件及内存中的参数,针对参数数据不同的部分进行更新;若是参数长度与参数文件大小对应不一致则删除并新建参数文件,然后将配置参数整体写入参数文件中。
7.如权利要求5所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,所述FLASH参数存储区更新内存参数具体包括:
FLASH参数存储区校验码验证:读取FLASH参数存储区1和参数存储区2的CRC校验码,并计算存储的参数数据的CRC校验码进行比较,参数存储区1校验通过且参数存储区2校验通过则进行下一步的存储时标验证,参数存储区1校验失败则将内存参数写入FLASH参数存储区1中参数发生变更的扇区,参数存储区2校验失败则将内存参数写入FLASH参数存储区2中参数发生变更的扇区;
FLASH参数存储区存储时标验证:读取FLASH参数存储区1和参数存储区2的保存时标,如果参数存储区1时标早于参数存储区2时标,则将内存参数存入参数存储区1中参数发生变更的扇区,反之,则将内存参数存入参数存储区2中参数发生变更的扇区。
8.如权利要求1至7任一所述的一种BMC配置参数存储方法,其特征在于,当BMC需要扩展参数的时候,包括以下步骤:
将待扩展的参数添加到参数存储结构尾部;
修改内存参数长度;
更新参数文件及flash参数存储区中的参数数据。
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