[发明专利]热界面材料层及包括热界面材料层的层叠封装件器件有效

专利信息
申请号: 201910150160.7 申请日: 2013-08-12
公开(公告)号: CN109830466B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 罗珉玉;金钟局;柳孝昌;朴镇右;孙凤辰;李章雨 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367;H01L21/56;H01L25/10;H01L21/98
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 界面 材料 包括 层叠 封装 器件
【权利要求书】:

1.一种具有层叠封装件结构的半导体封装器件,所述半导体封装器件包括:

下半导体封装件,包括下封装件基底和安装在所述下封装件基底上的下半导体芯片,所述下半导体芯片的下部面对所述下封装件基底并且电连接至所述下封装件基底;

上半导体封装件,包括上封装件基底和在所述上封装件基底上的第一上半导体芯片,所述第一上半导体芯片的上部通过引线键合而电连接至所述上封装件基底;

侧互连件,位于所述上封装件基底与所述下封装件基底之间,所述侧互连件将所述上半导体封装件与所述下半导体封装件电连接;

导热材料,设置在所述下半导体封装件和所述上半导体封装件之间,并且与所述下半导体芯片的上表面间隔开,所述导热材料包括树脂层和分散在所述树脂层中的填料颗粒;以及

下成型层,覆盖所述下半导体芯片的侧壁并且至少包围所述侧互连件的底部,

其中,所述第一上半导体芯片在一方向上的宽度大于所述下半导体芯片在该方向上的宽度,并且

其中,所述树脂层包括硅基化合物或橡胶基化合物,所述填料颗粒包括氮化硼和氧化锌中的至少一者、以及涂覆有绝缘层的金属颗粒,所述填料颗粒在所述导热材料中具有60wt%-95wt%,使得所述导热材料具有1W/mK或更高的导热率。

2.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述金属颗粒具有小于7的莫氏硬度。

3.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述导热材料包括热界面材料层。

4.如权利要求3所述的半导体封装器件,其中,所述热界面材料层具有500kPa或更低的弹性模量,并且所述树脂层具有500kPa或更低的弹性模量。

5.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述导热材料与所述下成型层的顶表面和所述上封装件基底的下表面接触。

6.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述下半导体芯片通过倒装芯片键合而电连接至所述下封装件基底。

7.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述侧互连件与所述导热材料间隔开。

8.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述下半导体芯片是应用处理器芯片,并且所述第一上半导体芯片是存储器芯片。

9.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述上半导体封装件还包括堆叠在所述第一上半导体芯片上的第二上半导体芯片。

10.如权利要求9所述的半导体封装器件,其中,所述第二上半导体芯片通过引线键合而电连接至所述上封装件基底。

11.如权利要求9所述的半导体封装器件,其中,所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片覆盖有上成型层。

12.如权利要求9所述的半导体封装器件,其中,所述第二上半导体芯片暴露所述第一上半导体芯片的上表面。

13.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中:

所述金属颗粒是铝颗粒,并且

所述金属颗粒涂覆有氧化铝(Al2O3)的绝缘层。

14.如权利要求1所述的半导体封装器件,其中,所述导热材料具有小于7的莫氏硬度。

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