[发明专利]显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201910149204.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN109830518B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 李祖华;穆乃超 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,用于提高显示面板的边缘处的封装胶的致密性,进而提高边缘处的抗静电能力。该显示面板的第一基板包括显示区域和封装区域,封装区域围绕显示区域;在垂直于显示面板的方向上,封装区域包括依次设置于第一基板一侧的缓冲层,金属层,阵列膜层以及封装胶,封装区域包括第一封装区域和第二封装区域,第二封装区域自所述第一基板的边缘向中心延伸,第一封装区域位于第二封装区域和显示区域之间,且在垂直于显示面板的方向上,阵列膜层在第二封装区域的厚度大于或者等于阵列膜层在所述第一封装区域的厚度。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
【背景技术】
有机发光(Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)显示面板因其具有主动发光、高对比度、无视角限制、可实现柔性显示等诸多优点而被广泛应用于显示技术领域。
目前,为了提高柔性OLED显示面板中的各OLED器件的抗水氧特性,通常会采用封装胶(frit)对显示面板进行封装。在具体制作时,需要在与封装胶对应的位置处设置反射金属层以将激光反射至封装胶,使封装胶熔融。并且,由于柔性OLED显示面板窄边框的设计需求,目前在制作目标尺寸的显示面板时,通常是在封装胶处进行切割以形成所需尺寸的显示面板,为了避免切割应力对反射金属层的影响,通常会将金属层的宽度设置的较窄,如此一来就导致显示面板的边缘处的封装胶与反射金属层之间出现段差,导致熔融后的封装胶在边缘处的致密性较差,影响边缘处的抗静电能力。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,用以提高显示面板的边缘处的封装胶的致密性,进而提高边缘处的抗静电能力。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括第一基板;所述第一基板包括显示区域和封装区域,其中,所述封装区域围绕所述显示区域;
在垂直于所述显示面板的方向上,所述封装区域包括依次设置于所述第一基板一侧的缓冲层,金属层,阵列膜层以及封装胶;
所述封装区域包括第一封装区域和第二封装区域,所述第二封装区域自所述第一基板的边缘向中心延伸,所述第一封装区域位于所述第二封装区域和所述显示区域之间,且在垂直于所述显示面板的方向上,所述阵列膜层在所述第二封装区域的厚度大于或者等于所述阵列膜层在所述第一封装区域的厚度。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置,通过将显示面板中的阵列膜层在第二封装区域的厚度设置为大于或者等于阵列膜层在第一封装区域的厚度,则封装胶在第二封装区域的厚度小于或者等于封装胶在第一封装区域的厚度,这样能够使封装胶在第二封装区域的致密度大于或等于封装胶在第一封装区域的致密度,这样可以避免靠近第一基板边缘处的封装胶的致密度较低形成缺陷,从而提高边缘处的封装胶抗外界静电破坏的能力,避免静电进一步延伸到显示面板内部破坏器件结构。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中一种显示面板的边框区的截面示意图;
图2为现有技术中另一种显示面板的边框区的截面示意图;
图3为将图2中的封装胶进行熔融后的示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的示意图;
图5为图4沿AA’的一种截面示意图;
图6为图4沿AA’的另一种截面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





