[发明专利]有机发光显示阵列结构

权利要求书

1.一种有机发光显示阵列结构，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及设置于所述第一薄膜晶体管的正上方的电容器，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度，以及其中所述电容器的下基板与所述第一薄膜晶体管的闸极连接。

2.如权利要求1所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管是开关薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述有机发光显示阵列结构由下至上包括：一衬底；一设置于所述衬底上的无机层；一设置于所述无机层上的图案化多晶硅层；一覆盖所述图案化多晶硅层的第一闸极绝缘层；一设于所述第一闸极绝缘层上的图案化第一金属层；一覆盖所述图案化第一金属层的第二闸极绝缘层；以及一设置于所述第二闸极绝缘层上的图案化第二金属层，其中，所述第一薄膜晶体管的所述闸极位于所述图案化第二金属层，所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层，所述第一薄膜晶体管的沟道与所述第二薄膜晶体管的沟道均位于所述图案化多晶硅层。

4.如权利要求3所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述图案化第一金属层和所述图案化第二金属层的材质相同，包括钛、钼、钨、或其组合。

5.如权利要求3所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，更包括第一无机绝缘层覆盖所述图案化第二金属层；第一有机绝缘层设置于所述第一无机绝缘层上；图案化第三金属层设置于所述第一有机绝缘层上；第二无机绝缘层覆盖所述图案化第三金属层；第二有机绝缘层设置于所述第二无机绝缘层上；图案化第四金属层设置于所述第二有机绝缘层上；以及有机平坦层覆盖所述图案化第四金属层。

6.如权利要求5所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述图案化第三金属层和所述图案化第四金属层的材质相同，包括铝、或铜。

7.如权利要求5所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述电容器的所述下基板位于所述图案化第三金属层，所述电容器的上基板位于所述图案化第四金属层。

8.权利要求7所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述第二有机绝缘层具有一开孔，所述电容器的所述上基板设置于所述开孔中。

9.一种有机发光显示阵列结构，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及设置于所述第一薄膜晶体管的正上方的电容器，其中，所述第一薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于所述第二薄膜晶体管的亚阈值摆幅，以及其中所述电容器的下基板与所述第一薄膜晶体管的闸极连接。

10.如权利要求9所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管是开关薄膜晶体管。

11.如权利要求10所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述有机发光显示阵列结构由下至上包括：一衬底；一设置于所述衬底上的无机层；一设置于所述无机层上的图案化多晶硅层；一覆盖所述图案化多晶硅层的第一闸极绝缘层；一设于所述第一闸极绝缘层上的图案化第一金属层；一覆盖所述图案化第一金属层的第二闸极绝缘层；以及一设置于所述第二闸极绝缘层上的图案化第二金属层，其中，所述第一薄膜晶体管的所述闸极位于所述图案化第二金属层，所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层，所述第一薄膜晶体管的沟道与所述第二薄膜晶体管的沟道均位于所述图案化多晶硅层。

12.如权利要求11所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述图案化第一金属层和所述图案化第二金属层的材质相同，包括钛、钼、钨、或其组合。