[发明专利]像素驱动电路及驱动方法有效

专利信息
申请号: 201910146302.2 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109686318B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 孙丽娜;田琪;邢晓荣 申请(专利权)人: 深圳吉迪思电子科技有限公司
主分类号: G09G3/3291 分类号: G09G3/3291;G09G3/3233
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;李向英
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的导通与关断受控于扫描信号;

存储电容,用于经所述第一晶体管接收数据电压,并存储所述数据电压;

第二晶体管,用于在所述第一晶体管的关断阶段内根据电源电压和被存储的所述数据电压向发光元件的阳极提供驱动电压或驱动电流;

第三晶体管,用于提供供电路径,所述第三晶体管的导通与关断受控于复位信号;以及

第四晶体管,用于提供所述发光元件的阳极和参考地之间的电流路径,所述第四晶体管的导通和关断受控于所述复位信号,并与所述第三晶体管交替导通,

其中,在所述第一晶体管的关断阶段和/或导通阶段内,所述第四晶体管在预定时间内被所述复位信号导通以释放所述发光元件的阳极电荷,

在所述第一晶体管的关断阶段内,在第一控制模式下,所述复位信号为低电平信号,在第二控制模式下,所述复位信号为脉宽调制信号。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,

所述第一晶体管的第一通路端接收所述数据电压,

所述存储电容的第一端连接至所述第一晶体管的第二通路端以接收并存储所述数据电压,所述存储电容的第二端与参考地或参考电源相连。

3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,

所述第二晶体管的第一通路端和控制端分别接收所述电源电压和被存储的所述数据电压,且第二通路端连接所述第三晶体管的第一通路端,所述第三晶体管的第二通路端连接至所述发光元件的阳极,

其中,所述供电路径在所述第三晶体管的导通阶段处于有效状态,在所述第三晶体管的关断阶段处于无效状态,所述第二晶体管在所述供电路径有效时提供所述驱动电压或所述驱动电流。

4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,

所述第三晶体管的第一通路端和控制端分别接收所述电源电压和所述复位信号,且第二通路端连接至所述第二晶体管的第一通路端,

所述第二晶体管的控制端接收所述扫描信号,且第二控制端连接至所述发光元件的阳极,

其中,所述供电路径在所述第三晶体管的导通阶段处于有效状态,在所述第三晶体管的关断阶段处于无效状态,所述第二晶体管在所述供电路径有效时提供所述驱动电压或所述驱动电流。

5.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二晶体管为NMOS晶体管,用于在导通时根据被存储的所述数据电压提供所述驱动电压,并将所述驱动电压提供至所述发光元件的阳极。

6.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二晶体管为PMOS晶体管,用于根据被存储的所述数据电压提供所述驱动电流。

7.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二晶体管为Native NMOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述存储电容至少包括金属-绝缘体-金属电容以及由MOS晶体管形成的电容器之一。

9.一种发光元件的驱动方法,其特征在于,包括:

在第一工作阶段中,接收并存储数据电压;

在与所述第一工作阶段交替进行的第二工作阶段中,根据电源电压和被存储的所述数据电压向所述发光元件的阳极提供驱动电压或驱动电流,

其中,所述驱动方法还包括:

提供连接在所述发光元件的阳极和参考地之间的电流路径,所述电流路径的导通和关断受控于复位信号;

提供供电路径,所述供电路径在所述复位信号的控制下与所述电流路径交替导通;以及

在所述第一工作阶段和/或所述第二工作阶段中,在预定时间内根据所述复位信号导通所述电流路径以释放所述发光元件的阳极电荷,

其中,在所述第二工作阶段中,在第一控制模式下,所述复位信号为低电平信号,在第二控制模式下,则所述复位信号为脉宽调制信号。

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