[发明专利]神经元系统、感光类神经元器件及其制作方法和应用

权利要求书

1.一种感光类神经元器件，其特征在于，包括栅极，介电层，源极，漏极以及有源层；所述介电层设置于所述栅极上，所述源极和所述漏极间隔设置于所述介电层上，所述有源层分别与所述源极、所述漏极连接且所述有源层设置于所述源极与所述漏极之间；

其中，所述栅极采用N型轻掺杂的硅片制成，且所述栅极的电阻率为2-35Ω·cm；所述栅极用于在受到检测光照射时产生感应电压从而使所述源极和所述漏极之间产生感应电流，所述有源层采用PFO-TP或PFO-BT或PFO-DBT或PF8-DPP或F8T2或uv154或PFIID或DPPB5T/PCZ分离提纯的半导体碳纳米管制成，所述感应电流的振幅增益随着检测光的频率的增加而减少。

2.根据权利要求1所述的感光类神经元器件，其特征在于，在检测光停止照射所述栅极时起的预设时间内，所述感应电流的值不为零或者在检测光照射所述栅极时起的预设时间内，所述感应电流的值不为零。

3.根据权利要求1所述的感光类神经元器件，其特征在于，在检测光照射所述栅极时，所述感应电流随所述栅极受到的检测光的照射次数的增加而增加。

4.根据权利要求2所述的感光类神经元器件，其特征在于，所述检测光的频率为0.1-100Hz；和/或所述检测光的光功率大于10uw；和/或所述检测光的波长小于1310nm。

5.根据权利要求1所述的感光类神经元器件，其特征在于，所述介电层采用氧化铪和/或氧化铝和/或二氧化硅和/或氮化硅制成。

6.根据权利要求1所述的感光类神经元器件，其特征在于，所述介电层的厚度为10-100nm。

7.一种感光类神经元器件的制作方法，其特征在于，

提供一N型轻掺杂的硅片作为栅极，所述栅极的电阻率为2-35Ω·cm；

在栅极上形成介电层；

在介电层上形成间隔设置的源极和漏极以及在介电层上形成与源极和漏极分别连接且位于源极与漏极之间的有源层，所述有源层采用PFO-TP或PFO-BT或PFO-DBT或PF8-DPP或F8T2或uv154或PFIID或DPPB5T/PCZ分离提纯的半导体碳纳米管制成；

其中，所述栅极用于在受到检测光照射时产生感应电压从而使所述源极和所述漏极之间产生感应电流，且所述感应电流的振幅增益随着检测光的频率的增加而减少。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用光刻或电子束蒸发或热蒸发或磁控溅射或印刷的方法在介电层上形成间隔设置的源极和漏极。

9.一种神经元系统，其特征在于，所述神经元系统包括多个权利要求1至6任一项所述的感光类神经元器件，相邻的所述感光类神经元器件相互连接。

10.一种如权利要求1至6任一项所述的感光类神经元器件在人工视网膜神经元系统中的应用。