[发明专利]一种集成再布线转接板的三维芯片封装结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201910141916.1 | 申请日: | 2019-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN109935604B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 姜峰;王阳红 | 申请(专利权)人: | 厦门云天半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址: | 361000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 集成 布线 转接 三维 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:包括由上至下设置的基板、至少两个金属再布线转接板和至少一芯片;所述金属再布线转接板包括载板、至少一金属线和至少一第一导电凸点,载板贴附于基板背面,金属线布设于载板上,第一导电凸点电性连接于金属线上并具有向下延伸的自由端;所述至少两个金属再布线转接板间隔设置,所述芯片架设于该些金属再布线转接板上,所述芯片焊盘面朝上并设有第二导电凸点,第二导电凸点与所述金属线电性连接;所述第一导电凸点位于芯片外侧且自由端低于芯片背面。
2.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:还包括密封胶,所述密封胶设于所述第二导电凸点和金属线连接处外侧并粘结所述再布线转接板和芯片。
3.根据权利要求1或2所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述芯片包括光传感芯片,所述光传感芯片于靠近所述基板一侧设有光信息采样单元。
4.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述基板和芯片之间具有大于10μm的间隙。
5.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述载板的材料是硅、玻璃、陶瓷、三五族材料、钽酸锂、铌酸锂或有机材料。
6.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述金属再布线转接板还包括保护层,所述保护层覆盖所述金属线并于对应所述第一导电凸点和第二导电凸点的区域开口。
7.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:还包括线路板,所述线路板设于所述芯片下方并与所述第一导电凸点的自由端连接。
8.一种权利要求1~7任一项所述集成再布线转接板的三维芯片封装结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
1)制作金属再布线转接板;
2)将金属再布线转接板的载板贴附于基板背面;
3)采用倒装将芯片与所述金属再布线转接板连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:步骤3)之后,还包括使用密封胶粘结所述芯片与金属再布线转接板的步骤。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:步骤3)之后,还包括将线路板通过所述第一导电凸点连接于芯片下方的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





