[发明专利]一种集成再布线转接板的三维芯片封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910141916.1 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109935604B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 姜峰;王阳红 申请(专利权)人: 厦门云天半导体科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;陈淑娴
地址: 361000 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 布线 转接 三维 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:包括由上至下设置的基板、至少两个金属再布线转接板和至少一芯片;所述金属再布线转接板包括载板、至少一金属线和至少一第一导电凸点,载板贴附于基板背面,金属线布设于载板上,第一导电凸点电性连接于金属线上并具有向下延伸的自由端;所述至少两个金属再布线转接板间隔设置,所述芯片架设于该些金属再布线转接板上,所述芯片焊盘面朝上并设有第二导电凸点,第二导电凸点与所述金属线电性连接;所述第一导电凸点位于芯片外侧且自由端低于芯片背面。

2.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:还包括密封胶,所述密封胶设于所述第二导电凸点和金属线连接处外侧并粘结所述再布线转接板和芯片。

3.根据权利要求1或2所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述芯片包括光传感芯片,所述光传感芯片于靠近所述基板一侧设有光信息采样单元。

4.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述基板和芯片之间具有大于10μm的间隙。

5.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述载板的材料是硅、玻璃、陶瓷、三五族材料、钽酸锂、铌酸锂或有机材料。

6.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:所述金属再布线转接板还包括保护层,所述保护层覆盖所述金属线并于对应所述第一导电凸点和第二导电凸点的区域开口。

7.根据权利要求1所述的集成再布线转接板的三维芯片封装结构,其特征在于:还包括线路板,所述线路板设于所述芯片下方并与所述第一导电凸点的自由端连接。

8.一种权利要求1~7任一项所述集成再布线转接板的三维芯片封装结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:

1)制作金属再布线转接板;

2)将金属再布线转接板的载板贴附于基板背面;

3)采用倒装将芯片与所述金属再布线转接板连接。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:步骤3)之后,还包括使用密封胶粘结所述芯片与金属再布线转接板的步骤。

10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:步骤3)之后,还包括将线路板通过所述第一导电凸点连接于芯片下方的步骤。

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