[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依序形成信道层、阻障层、掺杂氮化镓层以及未掺杂氮化镓层；

在所述未掺杂氮化镓层上形成绝缘层；

移除部分所述绝缘层，以形成沟槽；

在所述基板上形成栅极金属层，覆盖所述绝缘层与所述沟槽；

在所述栅极金属层上形成对准所述沟槽的掩膜层，且所述掩膜层与所述绝缘层部分重叠；

利用所述掩膜层作为蚀刻掩膜，去除暴露出的所述栅极金属层及其下方的所述绝缘层、所述未掺杂氮化镓层以及所述掺杂氮化镓层；以及

移除所述掩膜层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述掩膜层与所述绝缘层的重叠面积占所述掩膜层的面积比例在50％以下。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中移除部分所述绝缘层之后还包括：移除露出的所述未掺杂氮化镓层，以加深所述沟槽并露出所述掺杂氮化镓层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中形成的所述栅极金属层直接与所述沟槽内的所述掺杂氮化镓层接触。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中形成所述信道层、所述阻障层、所述掺杂氮化镓层以及所述未掺杂氮化镓层的方法包括有机金属化学气相沉积。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中形成所述绝缘层的方法包括有机金属化学气相沉积或低压化学气相沉积。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中在形成所述信道层之前还包括：

在所述基板上形成第一缓冲层；以及

在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，其中所述第二缓冲层比所述第一缓冲层的晶格更匹配于所述信道层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述信道层为氮化镓层，所述第一缓冲层为氮化铝层，且所述第二缓冲层为氮化铝镓与氮化镓的多重叠层。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其中形成所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的方法包括有机金属化学气相沉积。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中移除所述掩膜层之后还包括形成钝化层，全面覆盖所述栅极金属层、所述绝缘层、所述未掺杂氮化镓层、所述掺杂氮化镓层与所述阻障层。