[发明专利]一种解决PTC击穿的过流保护电路在审

专利信息
申请号: 201910141593.6 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109830936A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 邱桥 申请(专利权)人: 深圳乐桥电子有限公司
主分类号: H02H3/087 分类号: H02H3/087
代理公司: 深圳市查策知识产权代理事务所(普通合伙) 44527 代理人: 曾令安
地址: 518172 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 互感器 击穿 过流保护电路 驱动电路 驱动芯片 一端连接 单管 电路结构 放大电路 滤波电路 失效概率 使用寿命 稳压电路 接地 集电极 关断 减小 内关 使能 电子产品 生产成本 电源
【说明书】:

发明公开了一种解决PTC击穿的过流保护电路,其特征在于:包括用于PTC加热器的IGBT单管驱动电路,所述IGBT单管驱动电路包括IGBT、IGBT驱动芯片U1及互感器L,所述互感器L的初级的一端连接电源及PTC加热器,所述初级的另一端连接所述IGBT的集电极,所述互感器L的次级的一端通过放大电路、滤波电路及稳压电路连接于所述IGBT驱动芯片U1的使能端,所述次级的另一端接地。本发明在PTC击穿时,大幅减小了IGBT的关断时间,能够在2US内关断IGBT的基极,从而避免了IGBT因PTC击穿而过流失效概率,能够提高电子产品的稳定性及使用寿命,电路结构简单,降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及一种解决PTC击穿的过流保护电路,属于过流保护技术领域。

背景技术

目前,IGBT过流失效的情况较为常见,在新能源汽车领域,PTC击穿保护被越来越多车厂视为标准配置功能,国内单管IGBT保护通常采用通过串在IGBT回路中电阻进行采样,当采样电压超过阀门值通过硬件关断IGBT的G极从而达到保护IGBT单管目的,电阻采样虽然响应时间快,但是对高压进行采样时,采样信号产生的杂波较多,对小信号处理较为麻烦,有时会造成误报。上述方式不改变IGBT回路中电流大小,缺少预防功能,再者,由于市场上销售的IGBT单管普遍过流承受时间小于10US,如果不能及时关断IGBT,IGBT很大可能导通时间内失效,如果电流越大损坏时间也会变得更小。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种解决PTC击穿的过流保护电路,以解决上述背景技术中存在的问题。

为解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案来解决:

一种解决PTC击穿的过流保护电路,包括用于PTC加热器的IGBT单管驱动电路,所述IGBT单管驱动电路包括IGBT、IGBT驱动芯片U1及互感器L,所述互感器L的初级的一端连接电源及PTC加热器,所述初级的另一端连接所述IGBT的集电极,所述互感器L的次级的一端通过放大电路、滤波电路及稳压电路连接于所述IGBT驱动芯片U1的使能端,所述次级的另一端接地。

进一步的,所述放大电路包括电阻R3、电容C3及三极管Q1,所述滤波电路包括二极管D3、电容C1、电容C2,所述稳压电路包括稳压二极管Z1及电阻R2,所述第互感器的次极的一端通过二极管D3同时连接电容C1、电容C2的一端及稳压二极管Z1的阳极,所述稳压二极管Z1的阳极同时连接电阻R2和电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端同时连接三极管Q1基极,所述三级管的集电极连接所述IGBT驱动芯片U1的使能端,所述电容C1、电容C2、电阻R2、电容C3的另一端及三极管的发射极接地。

进一步的,所述IGBT的集电极还连接有饱和电压检测电路,所述饱和电压检测电路包括二极管D2、电阻R1及饱和电压检测芯片,所述二极管D2的负极连接所述IGBT的集电极,二极管D2的正极通过电路R1连接所述IGBT驱动芯片U1的饱和电压检测脚。

进一步的,所述IGBT的基极同时连接电容C4、电阻R4的一端、TVS二极管的阳极及IGBT控制芯片,所述电容C4、电阻R4的另一端及TVS二极管的阳极接地。

进一步的,还包括接口J1和接口J2,所述接口J1连接高压电源的正极和PTC加热器的正极,接口J2连接高压电源的负极和PTC加热器的负极,互感器L初级的一端连接于所述接口J2,互感器L初级的一端通过二极管D1连接于所述接口J1。

所述IGBT驱动芯片U1的型号为NCV5700、1ED020FA2、NCV57001、fod8316的其中一种。

本发明相比现有技术具有以下优点及有益效果:

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