[发明专利]一种可吹扫的黑硅制绒装置

说明书

本发明公开了一种可吹扫的黑硅制绒装置，包括机械臂、预脱水槽槽体和晶片篮，所述预脱水槽槽体的顶部设置有开口，所述预脱水槽槽体内盛有纯水液，位于纯水液液面以上的预脱水槽槽体侧壁上安装有气体通孔，气流自预脱水槽槽体外穿过若干个气体通孔吹向预脱水槽槽体内部，所述机械臂的下段连接有晶片篮，所述晶片篮内放置若干块硅片，所述机械臂带动晶片篮上下运动；本发明在硅片烘干前的预脱水槽中使用，在气液界面附近增加气体通孔，压缩空气自气体通孔喷入预脱水槽槽体内，在预脱水过程中，机械臂将硅片缓慢从纯水中提升脱水，离开液面的一瞬间，硅片经过压缩空气的吹扫，快速地将硅片上残余的水份吹干，防止硅片间粘黏在一起。

技术领域

本发明属于硅片制绒技术领域，特别涉及一种可吹扫的黑硅制绒装置。

背景技术

太阳能电池技术的核心一直是降低成本和提升效率，制绒工艺一方面可以延长光在硅表面的光程，另一方面可以减少反射损失，从而提升效率。单晶硅片在碱制绒工艺下，反射率11％，而多晶硅片目前常用的酸制绒处理后，反射率16％，反射率偏高导致对光吸收效果变差，进而影响效率。近年来，金属催化化学腐蚀法(MCCE)又称黑硅制绒，作为一种新的制绒技术正在迅速得到大规模应用，该方法通过金属离子催化与硅片接触点的刻蚀速率，在硅片表面形成深坑。从而增大比表面积，形成陷光结构，降低反射率，提升转化效率。

MCCE制绒过程大致为1.碱抛、2.沉银、3.挖孔、4.扩孔、5.后清洗。其中后清洗主要作用为去除表面残余杂质和氧化层。清洗效果直接关系到成品良率以及电池转化效率。

由于黑硅制绒为湿法反应工艺，在烘干前硅片表面难免会残留水滴，这些水滴在硅片间距发生变化时极易造成贴片，最终成为水渍脏污不良片。控制承载器内硅片间距对减少贴片至关重要，目前行业内主要措施为在在承载器上增加带有卡齿的压杆，通过卡齿将硅片分开，但是卡齿会影响硅片制绒效果，容易产生新的制绒不良，本发明在不需增加压杆的方式防止贴片产生。

发明内容

本发明提供一种可吹扫的黑硅制绒装置，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种可吹扫的黑硅制绒装置，包括机械臂、预脱水槽槽体和晶片篮，所述预脱水槽槽体的顶部设置有开口，所述预脱水槽槽体内盛有纯水液，位于纯水液液面以上的预脱水槽槽体侧壁上安装有气体通孔，气流自预脱水槽槽体外穿过若干个气体通孔吹向预脱水槽槽体内部，所述机械臂的下段连接有晶片篮，所述晶片篮内放置若干块硅片，所述机械臂带动晶片篮上下运动。

进一步的，所述预脱水槽槽体的侧壁上设置有若干个气体吹扫盖板安装口，每个气体吹扫盖板安装口上均安装有气体吹扫盖板，每个气体吹扫盖板上设置有若干个气体通孔。

进一步的，所述气体吹扫盖板安装口位于纯水液液面以上0.5-3cm处的预脱水槽槽体侧壁上。

进一步的，所述气体吹扫盖板上的气体通孔分为3种，分别是水平通孔、斜向上通孔和斜向下通孔，其中：水平通孔的孔内壁与纯水液液面平行，气体经过水平通孔，水平吹入预脱水槽槽体内部，斜向上通孔的孔内壁相较于纯水液液面倾斜向上，气体经过斜向上通孔，向上吹入预脱水槽槽体内部，斜向下通孔的孔内壁相较于纯水液液面倾斜向下，气体经过斜向下通孔，向下吹入预脱水槽槽体内部。

进一步的，所述气体吹扫盖板上自上而下依次设置斜向上通孔、水平通孔和斜向下通孔，斜向上通孔为若干个，呈阵列式排布，所述水平通孔为若干个，呈阵列式排布，所述斜向下通孔为若干个，呈阵列式排布。

进一步的，所述斜向上通孔的延长线与水平通孔的延长线呈15-45°夹角，所述斜向下通孔的延长线与水平通孔的延长线呈15-45°夹角。

进一步的，所述机械臂包括4根机械杆，4根机械杆两两为一组，每组机械杆分别与晶片篮相对的两个侧壁连接。