[发明专利]有机发光二极管显示器像素排列结构及显示面板有效
| 申请号: | 201910140641.X | 申请日: | 2019-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN109768073B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
| 发明(设计)人: | 张新建 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 像素 排列 结构 显示 面板 | ||
一种有机发光二极管显示器像素排列结构,由多个像素单元排列组成;每一所述像素单元包括:一1/4红色子像素、一1/4蓝色子像素以及一1/4绿色子像素;所述红色子像素的面积等于所述蓝色子像素的面积,等于所述绿色子像素的面积;且所述红色子像素、所述蓝色子像素以及所述绿色子像素均为十二边形;有益效果:与现有技术相比,本申请提供的一种有机发光二极管显示器像素排列结构,采用相邻像素公用子像素的方式,减少了子像素的个数,达到以低分辨率模拟高分辨率的效果,然后,其各子像素均为十二边形,其中八条边呈内凹的三角形形状,两相交的子像素之间只有两个公共交点,减少了由于蒸镀时,蒸镀阴影大于设计尺寸所引起的混色不良等问题。
技术内容
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器像素排列结构及显示面板。
背景技术
随着高分辨率显示装置的应用越来越广泛,对显示装置的分辨率的要求也越来越高。目前,通常通过减小像素的尺寸并减小像素间的间距来达到提高显示装置分辨率的目的,但是随着工艺技术的不断细化,会导致显示装置的工艺难度和制造成本的增加。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有亮度高、响应快、能耗低、可弯曲等优点,被广泛认可为下一代显示技术的焦点。OLED显示器与薄膜晶体管液晶显示器相比,最大的优势就是超薄、透明、柔性可折叠。目前,仍然是采用蒸镀技术制备OLED显示器,使用蒸镀技术制备像素时需使用高精度金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM)。因此高精度金属掩膜板的像素设计和排列是决定屏幕高分辨率的前提。
目前显示面板技术中,像素排列的优点很多,如同样亮度下视觉亮度更高,成本更低等。但同时,该技术的缺点也不容忽视,如在显示一些精细内容时,其清晰度会大幅下降,导致小号字体无法清晰显示;而为了弥补彩色问题,在像素技术下显示色彩分割区的时候,分割线会产生两倍于实际像素点距的网格状斑点。因此,像素技术的显示屏必须拥有足够高的分辨率才可以弥补由于产生两倍点距纹理所带来的视觉效果的降低。
综上所述,现有的像素排列技术中,还存在高分辨率显示时会产生两倍于实际像素点距的网格状斑点以及由于不同颜色的像素之间距离较近,蒸镀像素时容易产生混色的问题,急需改进。
发明内容
本申请涉及一种像素排列结构及显示面板,用于解决现有技术中存在的高分辨率显示时会产生两倍于实际像素点距的网格状斑点以及由于不同颜色的像素之间距离较近,蒸镀像素时容易产生混色的问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供的一种有机发光二极管显示器像素排列结构,由多个像素单元排列组成;每一所述像素单元包括:一1/4红色子像素、一1/4蓝色子像素以及一1/4绿色子像素;所述红色子像素的面积等于所述蓝色子像素的面积,等于所述所述绿色子像素的面积;且所述红色子像素、所述蓝色子像素以及所述绿色子像素均为十二边形。
根据本申请提供的一优选实施例,所述红色子像素、所述蓝色子像素以及所述绿色子像素其中的八条边组成四个内凹的三角形。
根据本申请提供的一优选实施例,所述内凹的三角形为等腰三角形。
根据本申请提供的一优选实施例,所述红色子像素以所述绿色子像素为中心呈180度排列,所述蓝色子像素以所述绿色子像素为中心呈180度排列,所述红色子像素和所述蓝色子像素设置于同一行或是同一列上,位于所述绿色子像素的一侧。
根据本申请提供的一优选实施例,所述绿色子像素到所述红色子像素之间的距离与所述绿色子像素到所述蓝色子像素之间的距离相等。
根据本申请提供的一优选实施例,相邻的所述红色子像素与所述绿色子像素之间,相邻的所述蓝色子像素与所述绿色子像素之间无公共边。
根据本申请提供的一优选实施例,相邻的所述红色子像素与所述蓝色子像素之间的距离等于或大于所述绿色子像素其中一条边的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





