[发明专利]双晶片存储器封装

说明书

本发明公开了一种双晶片存储器封装，其包含封装基板、第一晶片、第二晶片、接合引线以及导电柱。第一晶片设置于封装基板上，并且包含第一导电接垫以及第一接合垫。第一导电接垫以及第一接合垫设置于第一晶片背向封装基板的表面。第二晶片设置于第一晶片远离封装基板的一侧。第二晶片包含第二导电接垫，其设置于第二晶片面向第一晶片的表面。第一接合垫通过接合引线电性连接封装基板。第一导电接垫通过导电柱电性连接第二导电接垫。上述结构配置使得三维晶片堆叠能在不需要硅穿孔下实现。

技术领域

本发明是关于一种双晶片存储器封装，特别是关于一种不需要硅穿孔的双晶片存储器封装。

背景技术

近年来，三维晶片堆叠技术被广泛采用以生产体积小巧的高容量存储器封装。三维堆叠的存储器封装通常包含多个垂直堆叠并通过硅穿孔(through-silicon via，TSV)以及微凸块(microbump)互连的半导体晶片，然而，对此等基于硅穿孔的存储器装置而言，硅穿孔的使用可能会在制造上带来额外的复杂性，从而增加生产成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种不需要硅穿孔的三维堆叠存储器封装。

为实现上述目的，依据本发明的一些实施方式，一种双晶片存储器封装包含封装基板、第一晶片、第二晶片、接合引线以及导电柱。第一晶片设置于封装基板上，并且包含第一导电接垫以及第一接合垫。第一导电接垫以及第一接合垫设置于第一晶片背向封装基板的表面。第二晶片设置于第一晶片远离封装基板的一侧。第二晶片包含第二导电接垫，其设置于第二晶片面向第一晶片的表面。第一接合垫通过接合引线电性连接封装基板。第一导电接垫通过导电柱电性连接第二导电接垫。

在本发明的一或多个实施方式中，第一导电接垫以及第二导电接垫于垂直于第一晶片的所述表面的方向上对齐。导电柱位于第一导电接垫以及第二导电接垫之间，并且接触第一导电接垫以及第二导电接垫。

在本发明的一或多个实施方式中，第二导电接垫在第一晶片的所述表面上的垂直投影与第一导电接垫完全重叠。

在本发明的一或多个实施方式中，第一导电接垫以及第二导电接垫在垂直于第一晶片的所述表面的方向上不对齐。

在本发明的一或多个实施方式中，第二导电接垫在第一晶片的所述表面上的垂直投影至少部分与第一导电接垫不重叠。

在本发明的一或多个实施方式中，第一晶片进一步包含重分布层，其设置于第一晶片的所述表面，并且电性连接第一导电接垫。导电柱位于重分布层以及第二导电接垫之间，并且接触重分布层以及第二导电接垫。

在本发明的一或多个实施方式中，第二晶片进一步包含重分布层，其设置于第二晶片的所述表面，并且电性连接第二导电接垫。导电柱位于重分布层以及第一导电接垫之间，并且接触重分布层以及第一导电接垫。

在本发明的一或多个实施方式中，第一晶片进一步包含第一重分布层，其设置于第一晶片的所述表面，并且电性连接第一导电接垫。第二晶片进一步包含第二重分布层，其设置于第二晶片的所述表面，并且电性连接第二导电接垫。导电柱位于第一重分布层以及第二重分布层之间，并且接触第一重分布层以及第二重分布层。

在本发明的一或多个实施方式中，第一重分布层远离第一导电接垫的一端对齐第二重分布层远离第二导电接垫的一端。

在本发明的一或多个实施方式中，导电柱接触第一重分布层远离第一导电接垫的一端以及第二重分布层远离第二导电接垫的一端。

在本发明的一或多个实施方式中，接合引线的两端分别接触第一接合垫以及封装基板。

在本发明的一或多个实施方式中，第一晶片进一步包含重分布层，其设置于第一晶片的所述表面，并且电性连接第一接合垫。接合引线的两端分别接触重分布层以及封装基板。