[发明专利]一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法有效

专利信息
申请号: 201910139425.3 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN109706739B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 邱祖民;亢敏霞;宁峰;张健;马长坡 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: D06M15/37 分类号: D06M15/37;D06M101/40
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 胡群
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳布上 负载 fe mof 纳米 阵列 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:先将碳布放置于含铁盐固体粉末的35ml水溶液中,在高压反应釜中进行反应,将经过上述处理的碳布依次用去离子水和乙醇反复洗涤,并进行干燥处理;

S2:最后将S1干燥处理后的碳布放入含有摩尔比1:1氯化铁和对苯二甲酸的35ml DMF溶液中,在一定温度下进行反应,将经过上述处理的碳布依次用DMF和乙醇反复洗涤,并进行干燥处理,得到碳布上负载Fe-MOF纳米阵列;

所述含铁盐固体粉末为氯化铁与硫酸钠混合物,所述氯化铁与硫酸钠的摩尔比为1:1~3:1;

所述步骤S1中,在高压反应釜中进行反应的温度为100~160℃,时间为3~24h;

所述步骤S2中,第一步反应的温度为90~160℃,时间为6~48h。

2.根据权利要求1所述的一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于:所述氯化铁与硫酸钠的摩尔比为1:1,2:1,3:1。

3.根据权利要求1所述的一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于:所述步骤S1中,干燥处理的温度为50~80℃,时间为8~20h。

4.根据权利要求3所述的一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于:所述步骤S1中,干燥处理为普通干燥或真空干燥或冷冻干燥。

5.根据权利要求1所述的一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于:所述步骤S2中,干燥处理的温度为45~75℃,时间为10~15h。

6.根据权利要求1所述的一种碳布上负载Fe-MOF纳米阵列的合成方法,其特征在于:所述步骤S2中,干燥处理为普通干燥或真空干燥。

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