[发明专利]一种柔性OLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201910139080.1 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN109755287B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种柔性OLED器件及其制备方法。其中柔性OLED器件包括柔性基板、绝缘层、薄膜晶体管层、平坦层、像素定义层、有机发光层和薄膜封装层。其中柔性OLED器件通过光刻技术在其平坦层、像素定义层的凸块和薄膜封装层中的至少一个膜层中制备出贯穿其所在膜层的凹槽,所述凹槽与其所在膜层相接的左侧面和右侧面中的至少一个侧面为弧形曲面、波浪曲面、单一弯折面、连续弯折面或者凹凸面中的一种形状或是上述形状之间的组合,然后在所述凹槽中填充弹性模量小于100Mpa的第一材料,利用第一材料的柔韧性,从而达到同时增强柔性OLED器件整体向内和向外弯曲的柔性性能,提升OLED器件的饶曲性能的效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种柔性OLED器件及其制备方法。
背景技术
OLED(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)器件又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电力之正极相连,再加上另一个金属面阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与面阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
首先OLED的特性是自己发光,不像薄膜晶体管液晶显示装置(英文全称:Thinfilm transistor-liquid crystal display,简称TFT-LCD)需要背光,因此可视度和亮度均高。其次OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一,正在逐步替代TFT-LCD,有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。
其中OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性显示屏,这更是OLED所特有的巨大优势。目前行业内OLED产品已经市场化,许多产品已经应用到生活中的电子产品上,对于OLED器件而言,最有竞争力的优势是它的饶曲性(即柔性,flexible),提升OLED器件的柔性至可穿戴产品的应用需求,必然会引起新的电子产品设计改革。为了实现OLED产品的可穿戴化,改善目前OLED产品的柔性性能至关重要。因此需要寻求一种新型的柔性OLED器件的制备方法以提升其柔性性能。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种柔性OLED器件及其制备方法,以提升其柔性性能。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式提供了一种柔性OLED器件,其中包括依次设置的:柔性基板、绝缘层、薄膜晶体管层、平坦层、像素定义层、有机发光层以及薄膜封装层。其中所述绝缘层设置于所述柔性基板上;所述薄膜晶体管层设置于所述绝缘层上;所述平坦层设置于所述薄膜晶体管层上;所述像素定义层设置于所述平坦层上,所述像素定义层包括多个间隔设置的开口及设置在相邻两个开口间的凸块;所述有机发光层设置于所述像素定义层上;所述薄膜封装层包覆于所述像素定义层和有机发光层上;所述平坦层、像素定义层的凸块和薄膜封装层中的至少一个膜层中设有贯穿其所在膜层的凹槽,所述凹槽内填充有第一材料。
进一步地,其中所述凹槽包括2个或以上数量,这些凹槽相互间隔设置在其所在膜层中。
进一步地,其中所述凹槽包括底面、与其所在膜层相接的左侧面和右侧面,所述左侧面和右侧面中至少一个侧面包括弧形曲面、波浪曲面、单一弯折面、连续弯折面或者凹凸面中的一种形状或是上述形状之间的组合。
进一步地,其中所述凹槽的左侧面和右侧面均为单一弯折面,所述凹槽的左侧面和右侧面的弯折方向相同。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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