[发明专利]一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜及其制备方法有效
| 申请号: | 201910138645.4 | 申请日: | 2019-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN109972103B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 江绍基;王虹;张梓豪;赵宇航;莫云杰;陈少飞 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/02;B05D1/40 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
| 地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能 光谱 选择 吸收 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,其特征在于:包括基底、微纳球体、金属反射层、介质干涉层、金属吸收层、介质增透层;其中:
所述微纳球体通过匀胶机旋涂在所述基底上;
所述金属反射层通过磁控溅射镀制在所述微纳球体上;
所述介质干涉层通过磁控溅射镀制在所述金属反射层上;
所述金属吸收层通过磁控溅射镀制在所述介质干涉层上;
所述介质增透层通过磁控溅射镀制在所述金属吸收层上;
所述的基底为任意材料制成;所述的微纳球体为任意材料制成;所述的金属反射层、金属吸收层为无色金属材料制成;所述介质干涉层、介质增透层为折射率为1.04~1.81低折射率材料制成;
当所述低折射率材料为SiO2、无色金属为Cr时,所述的微纳球体半径为500nm;所述的金属反射层的厚度为100nm;所述的介质干涉层的厚度为100nm;所述的金属吸收层的厚度为5nm,所述的介质增透层的厚度为100nm;
宽角太阳能光谱选择吸收薄膜的制备方法,包括以下步骤:
S1:将光学基底进行抛光;
S2:在抛光的光学基底上利用匀胶机旋涂SiO2微纳球体溶液;
S3:在SiO2微纳球体上采用磁控溅射镀制干涉膜系,所述干涉膜系具体为依次镀制Cr金属反射层、SiO2介质干涉层、Cr金属吸收层和SiO2介质增透层;
用针管取0.3ml浓度为100mg/ml的SiO2溶液,滴在单晶Si片上进行旋涂,加速度为80rpm/s,加速度为25s,在2000rpm时匀速转动75s;
真空气压控制在7×10-4帕,通入氩气,流量为80sccm,工作气压维持在0.4帕,Cr金属反射层和Cr金属吸收层的溅射功率均为50W,制备厚度分别为100nm和5nm,SiO2介质干涉层和SiO2介质增透层的溅射功率均为300W,制备厚度皆为100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910138645.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:溅射成膜装置和溅射成膜方法
- 下一篇:一种弥补Co靶材质量缺陷的方法
- 同类专利
- 专利分类





