[发明专利]一种可调厚度和生长方向的硼钛复合层的制备方法

权利要求书

1.一种可调厚度和生长方向的硼钛复合层的制备方法，其特征在于，预先在钛合金基体表面沉积一层纯钛层，然后再经渗硼法，生长获得硼钛复合层；

沉积所述纯钛层的方法为PVD法；

所述PVD法具体为：氩气气氛中，在所述钛合金基体的表层，以钛靶电流从3～5A逐渐减少至0.15～0.5A，碳靶电流从0A逐渐增至0.2～0.6A，氩气流量在20～40sccm的条件，沉积2～6h，获得沉积了纯钛层的钛合金基体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钛合金基体预先进行深度清洁，所述深度清洁包括除油、表面打磨、超声清洁、等离子体清洗。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述深度清洁具体为：

1)将金属洗净剂与水混合配制成浓度为3～10％的溶液，升温至55～60℃，将所述钛合金基体浸入金属洗净剂溶液中，浸泡除油1～2小时；

2)依次利用400#、600#、800#、1000#、1200#、1500#、2000#型号的水磨砂纸对所述钛合金基体进行打磨；

3)以丙酮为清洗剂，超声清洗所述钛合金基体30～60min，然后再采用去离子水超声清洗30～60min；

4)将所述钛合金基体置于PVD装置中，抽真空至真空度为2～20帕起辉，随后等离子体清洗3～10min。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述渗硼法具体为：将渗硼剂填埋至沉积了纯钛层的钛合金基体的表面，然后置于900～990℃的温度下，保温2～20h。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述渗硼剂为质量比(90～98):(10～2)的供硼剂和催渗剂。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述渗硼剂的粒度不大于50μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将钛合金基体进行深度清洁，所述深度清洁包括除油、表面打磨、超声清洁、等离子体清洗；

2)采用PVD法在所述钛合金基体上沉积一层纯钛层；

3)然后将渗硼剂填埋至沉积了纯钛层的钛合金基体的表面，然后置于900～990℃的温度下，保温2～20h，生长获得可调厚度和生长方向硼钛复合层。

8.权利要求1～7任一项所述的制备方法制得的硼钛复合层。