[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

第一介电层，设置于基底上；

一对栅极堆叠结构，设置于所述第一介电层上且彼此分隔开，其中每一所述栅极堆叠结构包括：

字符线，设置于所述基底上；

抹除栅极，设置于所述字符线上；以及

第二介电层，设置于所述字符线与所述抹除栅极之间；

第三介电层，设置于每一所述栅极堆叠结构的表面上；

一对浮置栅极，设置于所述栅极堆叠结构之间，其中所述浮置栅极各自位于对应的所述栅极堆叠结构的侧壁上的所述第三介电层上，其中所述浮置栅极的顶面低于所述抹除栅极的顶面；

第四介电层，覆盖所述第一介电层、所述第三介电层与所述浮置栅极；控制栅极，设置于所述浮置栅极之间的所述第四介电层上；以及

掺杂区，设置于每一所述栅极堆叠结构的两侧的所述基底中。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述浮置栅极的顶面高于所述抹除栅极的底面。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述控制栅极的顶面低于所述浮置栅极的顶面。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述浮置栅极之间的所述掺杂区位于所述控制栅极下方。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述浮置栅极具有间隙壁形式。

6.一种存储器结构的制造方法，包括：

在基底上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成彼此分隔开的一对栅极堆叠结构，其中每一所述栅极堆叠结构包括：

字符线，位于所述基底上；

抹除栅极，位于所述字符线上；以及

第二介电层，位于所述字符线与所述抹除栅极之间；

在每一所述栅极堆叠结构的表面上形成第三介电层；

在所述栅极堆叠结构之间形成一对浮置栅极，其中所述浮置栅极各自位于对应的所述栅极堆叠结构的侧壁上的所述第三介电层上，且所述浮置栅极的顶面低于所述抹除栅极的顶面；

在每一所述栅极堆叠结构的两侧的所述基底中形成掺杂区；

在所述基底上形成第四介电层，所述第四介电层覆盖所述第一介电层、所述第三介电层与所述浮置栅极；以及

在所述浮置栅极之间的所述第四介电层上形成控制栅极。

7.如权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中所述浮置栅极的顶面高于所述抹除栅极的底面。

8.如权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中所述控制栅极的顶面低于所述浮置栅极的顶面。

9.如权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中所述一对浮置栅极的形成方法包括：

在所述基底上共形地形成浮置栅极材料层，其中所述浮置栅极材料层覆盖所述栅极堆叠结构；

进行各向异性蚀刻制作工艺，移除部分所述浮置栅极材料层而形成间隙壁，且直到所述间隙壁的顶面低于所述抹除栅极的顶面；以及

移除所述一对栅极堆叠结构的外侧的所述间隙壁。

10.如权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中所述控制栅极的形成方法包括：

在所述第四介电层上形成控制栅极材料层，且所述控制栅极材料层填满所述栅极堆叠结构之间的空间；

进行回蚀刻制作工艺，移除部分所述控制栅极材料层；以及

移除所述一对栅极堆叠结构的外侧的所述控制栅极材料层。