[发明专利]基于InGaN微米LED光电探测器阵列及其应用

权利要求书

1.基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其特征在于：

包括基底，以及在基底上阵列分布的多个微米LED器件，每个微米LED器件的基本结构为n-GaN，InGaN/GaN量子阱，p-GaN外延层结构,每个微米LED器件尺寸大小相等或者不等，每个微米LED器件尺寸为任意形状，包括圆形、方形、多边形，微米LED的大小从1微米到100微米。

2.根据权利要求1所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其特征在于：

所述微米LED器件的衬底为蓝宝石衬底，硅衬底，GaN衬底，SiC衬底或者柔性PET衬底。

3.根据权利要求1所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其特征在于：

所述微米LED器件的尺寸大小从5微米到50微米。

4.根据权利要求1所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其特征在于：

当所述光电探测器阵列作为可见光通信的光发射器件时，每个微米LED的3dB调制带宽从数MHz到数GHz；当所述光电探测器阵列作为可见光通信的光探测器件时，每个微米LED的3dB调制带宽从数MHz到几百MHz。

5.一种利用权利要求1-4中任意一项所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列的可见光通信装置，依次包括：

多个激光二极管、多个透镜、以及所述基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其中每个激光二极管形成单独的可见光通信信道。

6.一种基于权利要求1-4中任意一项所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列在micro-LED阵列中的应用。

7.一种基于权利要求1-4中任意一项所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列在太阳能电池中的应用。

8.一种基于权利要求1-4中任意一项所述的基于InGaN微米LED光电探测器阵列作为自供电的光电探测器的应用。