[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板；

半导体层叠体，配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，其中，所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间，并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板；

第一电极板(37)；

上部延伸部(37a、37b、37c、37d)，其中，所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层；

第二电极板(35)；

下部延伸部(35a、35b)，其中，所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层；

连接部(35c)，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度；

第一电流阻挡层(31d)，配置于所述上部延伸部(37a、37b、37c、37d)之下；

第一绝缘层(32a)，夹设于所述连接部(35c)与所述分离槽(30a)之间，其中，所述第一绝缘层(32a)的宽度大于所述连接部(35c)的宽度，

其中，第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

第二电流阻挡层(31c)，夹设于所述下部延伸部(35a、35b)与所述下部半导体层(23a)之间。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第二电流阻挡层(31c)包括：相互隔开的多个点，每个点的宽度大于所述下部延伸部的宽度。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，从所述分离槽至最接近所述分离槽的点的最短距离与相邻两个点之间的隔开距离不同。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述连接部的宽度大于点之间的下部延伸部的宽度。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部连接到两个相邻点之间的下部半导体层，

所述下部延伸部的端部连接到所述下部半导体层。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部的端部被所述上部延伸部包围。

8.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层包括SiO2层。

9.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：透明电极层，配置于所述上部半导体层上，

其中，所述透明电极层的一部分配置于所述上部半导体层与所述第一电极板之间以及所述上部半导体层与所述上部延伸部之间。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中，第一电极板通过透明电极层中的开口，而连接到第三电流阻挡层。

11.如权利要求9所述的发光二极管，其中，所述第一绝缘层(32a)配置于所述透明电极层(33)之下。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述半导体层叠体还包括露出所述下部半导体层的台面分离槽，

其中，所述发光二极管还包括：

第二绝缘层(32b)覆盖配置有第二电极板的所述台面分离槽(27c)的侧面。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述半导体层叠体还包括露出所述下部半导体层的台面分离槽，

所述半导体层叠体还包括多个发光单元，其中，所述多个发光单元由所述分离槽或台面分离槽定义。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部以及所述上部延伸部配置于所述多个发光单元中的每个发光单元上。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其中，所述连接部电连接两个相邻发光单元的下部延伸部和所述上部延伸部。