[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置在审
| 申请号: | 201910135563.4 | 申请日: | 2019-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN110277296A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
| 发明(设计)人: | 田中庆一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 高颖 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空容器 等离子处理装置 样品台 照射部 红外光 高频电力 样品照射 等离子处理 气体供给部 温度测量部 排气部 施加 载置 测量 处理气体 晶片 排气 吞吐量 外部 | ||
1.一种等离子处理装置,具备:
真空容器;
在所述真空容器的内部载置样品的样品台;
将所述真空容器的内部排气的排气部;
对所述真空容器的内部供给处理气体的气体供给部;
对所述真空容器的内部施加高频电力的高频电力施加部;
从所述真空容器的外部对载置于所述样品台的所述样品照射红外光的照射部;以及
对所述排气部、所述气体供给部、所述高频电力施加部、和所述照射部进行控制的控制部,
所述等离子处理装置的特征在于,还具备:
测量所述样品台的载置所述样品的面的温度的温度测量部,
所述控制部在通过所述照射部对载置于所述样品台的所述样品照射红外光时,基于由所述温度测量部测量到的温度来控制从所述照射部对所述样品照射的所述红外光的强度。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述样品台具备:
在与载置于所述样品台的所述样品的背面之间供给冷却气体的冷却气体供给部;
对形成于所述样品台的流路供给冷却所述样品台的冷媒的冷媒供给部;以及
对载置于所述样品台的所述样品进行静电吸附的静电卡盘部。
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述真空容器具备:
通过由所述高频电力施加部施加的高频电力来产生从所述气体供给部供给的所述处理气体的等离子的等离子产生室;以及
使基于由在所述等离子产生室中产生的等离子激发的所述处理气体的激发气体流入的处理室,
将所述等离子产生室与所述处理室之间用形成有大量狭缝的石英的板进行分隔。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述控制部在通过所述照射部对载置于所述样品台的所述样品照射所述红外光时,基于由所述温度测量部测量到的温度,并根据预先求得的所述样品的体积电阻率与升温速度的关系,来控制从所述照射部对所述样品照射的所述红外光的强度。
5.根据权利要求4所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述控制部从预先求得的所述样品的所述体积电阻率与所述升温速度的关系中,基于由所述温度测量部测量到的温度来求取所述样品的升温速度,并基于所述求得的所述样品的升温速度来控制从所述照射部对所述样品照射的所述红外光的强度。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述控制部在除去所述样品的表面的最初的一层的工序中,基于由所述温度测量部测量到的温度来进行以下处理:从预先求得的所述样品的所述体积电阻率与所述升温速度的关系中,基于由所述温度测量部测量到的温度来求取所述样品的升温速度。
7.根据权利要求5所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述控制部在除去所述样品的表面的最初的一层之前,从所述照射部对所述样品照射所述红外光来对所述样品进行加热,并基于由所述温度测量部测量到的温度来进行以下处理:从预先求得的所述样品的所述体积电阻率与所述升温速度的关系中,基于由所述温度测量部测量到的温度来求取所述样品的升温速度。
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