[发明专利]一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统

说明书

本发明提供一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。本发明还提供一种计算机可读存储介质。本发明还提供一种掩模边界检测系统。

【技术领域】

本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统。

【背景技术】

光刻技术是用于制造超大规模集成电路的核心技术之一，光刻系统采用光源照射掩模版，通过投影物镜将掩模上的集成电路版图成像到光刻胶上。计算光刻使用计算机来模拟、仿真光刻的光学和化学过程，从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。

随着技术节点不断缩减，光刻工艺分辨率的提高依赖与分辨率增强技术，包括优化光照条件、光学临近效应修正和添加亚分辨率辅助图形。从32nm技术节点以下，计算光刻已经成为光刻研发的核心。

实际一个芯片的尺寸最大可达32mm*26mm，其中最小的图形的线宽只有50nm，因此光刻层的版图文件可达几百个GB。由于计算光刻的运算量巨大，目前的计算机系统无法一次处理整个掩模版图，因而需要把掩模版图划分成微米量级的小块版图然后对其进行分布式并行计算，最后将各个优化好的小块版图整合起来。整合之后的版图需要在划分的边界上检测优化后的图形的一致性。掩模边界一致是指掩模主图形和亚分辨率辅助图形的线段经过光学邻近效应修正后，在版图切分的边界上不能有阶跃式的变化。掩模版图在边界上不一致说明版图优化出现问题，需要对算法进行改进和完善。一块完整的芯片版图在进行计算的时候会被划分成几万甚至几十万个小块版图，如果直接用肉眼去检测，几乎是不可能完成的任务。如何有效地检测这些版图上面的图形，并且准确定位到掩模图形的线段在边界上不一致的具体位置坐标，是计算光刻中亟需解决的问题。

【发明内容】

为克服现有问题，本发明提供一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统。

本发明解决技术问题的技术方案是提供一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。

优选地，步骤S3包括扩步骤S31，检测主图形图层中的主图形与掩模边界线是否存在交点；步骤S32，若步骤S31中检测到存在交点，则检测主图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S33，当角度方向不同时，检测目标图形与掩模边界线的交点处是否有人为放置的断点，若无人为放置的断点，则直接判断主图形在该处掩模边界不具有一致性，若有人为放置的断点，则判断具有一致性。

优选地，步骤S33包括步骤S331，以交点为中心延伸一长方形空间；步骤S332，在长方形空间内搜寻是否存在人为设置的断点；当不存在断点时，则判断该主图形在掩模边界不具有一致性，否则判断具有一致性。

优选地，步骤S2包括步骤S21，检测辅助图形图层中的辅助图形与掩模边界线是否存在相交；步骤S22，若步骤S21中检测到存在交点，则检测辅助图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S23，根据角度方向相同或相反，判断出辅助图形在掩模边界具有一致性或不具有一致性。

优选地，所述角度方向为辅助图形及主图形与掩模边界线相交的交点所成角度的方向。

优选地，步骤S1包括步骤S11，分别读取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层；及步骤S12，将掩模版图进行切割，以形成多个小正方形版块。

优选地，所述掩模边界检测方法还包括步骤S4，获取掩模版图中不具有一致性的主图形及辅助图形的位置。